Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
TPCP8004(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 8.3A PS-8 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 4.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 840mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PS-8 (2.9x2.4) Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead	Disponibile4.698
TPCP8005-H(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 11A PS-8 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSV-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2150pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 840mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PS-8 (2.9x2.4) Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead	Disponibile6.858
TPCP8103-H(TE85LFM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 40V 4.8A PS-8 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIII-H Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 840mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PS-8 (2.9x2.4) Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead	Disponibile5.472
TPCP8J01(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo X35 PB-FREE POWER MOSFET TRANSIS Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 32V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1760pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.14W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PS-8 Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead	Disponibile4.374
TPH11003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 30V 32A 8SOP Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 21W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile23.784
TPH11006NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 34W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile3.204
TPH1110ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 42W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile7.920
TPH1110FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 15A 8-SOP Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 57W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile7.092
TPH12008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 80V 24A SOP Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 48W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile5.148
TPH14006NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 32W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile7.830
TPH1400ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 100V 24A 8-SOP Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 48W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile5.436
TPH1R005PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 45V 150A Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIX-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 45V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 150A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9600pF @ 22.5V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 960mW (Ta), 170W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile2.016
TPH1R204PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 150A Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIX-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 150A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7200pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 960mW (Ta), 132W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile3.006
TPH1R403NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 60A 8-SOP Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4400pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 64W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile2.646
TPH1R712MD,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182nC @ 5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10900pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 78W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile2.610
TPH2010FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 42W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile2.718
TPH2900ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 33A SOP8 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 33A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 78W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile8.406
TPH2R306NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta), 78W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile8.460
TPH2R506PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIX-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5435pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 132W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile156.342
TPH2R608NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 75V 150A SOP8 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 150A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6000pF @ 37.5V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 142W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Advance (5x5) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile3.780
TPH3202LD Transphorm	Transistor - FET, MOSFET - Singolo GANFET N-CH 600V 9A PQFN Produttore: Transphorm Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±18V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 480V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 65W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 4-PQFN (8x8) Pacchetto / Custodia: 4-PowerDFN	Disponibile8.442
TPH3202LS Transphorm	Transistor - FET, MOSFET - Singolo GANFET N-CH 600V 9A PQFN Produttore: Transphorm Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±18V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 480V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 65W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 3-PQFN (8x8) Pacchetto / Custodia: 3-PowerDFN	Disponibile7.254
TPH3202PD Transphorm	Transistor - FET, MOSFET - Singolo GANFET N-CH 600V 9A TO220 Produttore: Transphorm Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±18V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 480V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 65W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile2.754
TPH3202PS Transphorm	Transistor - FET, MOSFET - Singolo GANFET N-CH 600V 9A TO220 Produttore: Transphorm Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±18V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 480V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 65W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile4.752
TPH3205WSB Transphorm	Transistor - FET, MOSFET - Singolo GANFET N-CH 650V 36A TO247 Produttore: Transphorm Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 36A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 700µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 8V Vgs (massimo): ±18V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 125W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile6.984
TPH3205WSBQA Transphorm	Transistor - FET, MOSFET - Singolo GANFET N-CH 650V 35A TO247 Produttore: Transphorm Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 22A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 700µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 8V Vgs (massimo): ±18V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 125W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile12.948
TPH3206LD Transphorm	Transistor - FET, MOSFET - Singolo GANFET N-CH 600V 17A PQFN Produttore: Transphorm Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±18V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 480V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 96W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PQFN (8x8) Pacchetto / Custodia: 4-PowerDFN	Disponibile7.308
TPH3206LDB Transphorm	Transistor - FET, MOSFET - Singolo GANFET N-CH 650V 16A PQFN Produttore: Transphorm Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±18V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 480V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 81W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PQFN (8x8) Pacchetto / Custodia: 4-PowerDFN	Disponibile3.438
TPH3206LDGB Transphorm	Transistor - FET, MOSFET - Singolo GANFET N-CH 650V 16A PQFN Produttore: Transphorm Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±18V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 480V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 81W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PQFN (8x8) Pacchetto / Custodia: 3-PowerDFN	Disponibile6.354
TPH3206LS Transphorm	Transistor - FET, MOSFET - Singolo GANFET N-CH 600V 17A PQFN Produttore: Transphorm Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±18V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 480V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 96W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PQFN (8x8) Pacchetto / Custodia: 3-PowerDFN	Disponibile7.542

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