Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

Pagina 1901/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
TK16G60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 300V Funzione FET: Super Junction Dissipazione di potenza (max): 130W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile7.308
TK16J60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N) Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 300V Funzione FET: Super Junction Dissipazione di potenza (max): 130W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P(N) Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3	Disponibile2.214
TK16N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 600V 15.8A TO247 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 300V Funzione FET: Super Junction Dissipazione di potenza (max): 130W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile5.526
TK16V60W,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 600V 15.8A 5DFN Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 300V Funzione FET: Super Junction Dissipazione di potenza (max): 139W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 4-DFN-EP (8x8) Pacchetto / Custodia: 4-VSFN Exposed Pad	Disponibile4.644
TK17A80W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 17A TO220SIS Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2050pF @ 300V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 45W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SIS Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile15.156
TK17E65W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 300V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 165W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile8.064
TK17E80W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2050pF @ 300V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 180W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile8.088
TK17N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 17.3A T0247 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 300V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 165W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile6.786
TK18A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 18A TO-220SIS Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSVII Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 50W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SIS Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile4.068
TK18E10K3,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile4.752
TK19A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 450V 19A TO-220SIS Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSVII Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 450V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 50W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SIS Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile6.642
TK1K2A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIX Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 300V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 35W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SIS Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile20.988
TK1K9A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIX Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 1.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 400µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 300V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SIS Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile8.304
TK20A25D,S5Q(M Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 20A TO-220SIS Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSVII Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2550pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 45W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SIS Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile6.282
TK20A60U(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 20A TO-220SIS Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSII Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1470pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 45W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SIS Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile7.344
TK20A60W5,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 300V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 45W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SIS Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile8.478
TK20A60W,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 300V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 45W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SIS Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile8.964
TK20C60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 300V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 165W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I2PAK Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile7.578
TK20E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 300V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 165W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile6.678
TK20G60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 600V 20A D2PAK Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 300V Funzione FET: Super Junction Dissipazione di potenza (max): 165W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile8.964
TK20J60U(F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSII Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1470pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 190W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P(N) Pacchetto / Custodia: TO-3P-3, SC-65-3	Disponibile7.704
TK20N60W5,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 300V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 165W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile7.110
TK20N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 300V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 165W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile5.220
TK20P04M1,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 20A DPAK-3 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 985pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 27W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile4.698
TK20S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 20A DPAK-3 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 38W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK+ Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile4.014
TK20S06K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 20A DPAK-3 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 38W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK+ Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile6.156
TK20V60W5,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 20A 5DFN Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 300V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 156W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 4-DFN-EP (8x8) Pacchetto / Custodia: 4-VSFN Exposed Pad	Disponibile8.694
TK20V60W,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 600V 20A 5DFN Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: DTMOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 300V Funzione FET: Super Junction Dissipazione di potenza (max): 156W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 4-DFN-EP (8x8) Pacchetto / Custodia: 4-VSFN Exposed Pad	Disponibile2.376
TK22A10N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 52A TO-220 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SIS Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile5.526
TK22E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 100V 52A TO220 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 52A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 72W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile8.442

«
‹
1
...
1898
1899
1900
1901 (current)
1902
1903
1904
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistor

Risorse

Supporto

Social Media

Need Help?
Send Message