Transistor

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
STW30NM50N STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 27A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 27A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2740pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 190W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile8.088
STW30NM60D STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 30A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2520pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 312W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile5.418
STW30NM60N STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 25A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 190W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile6.384
STW30NM60ND STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 25A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: FDmesh™ II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2800pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 190W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile7.344
STW31N65M5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 22A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ V Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 148mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 816pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile3.384
STW32N65M5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 24A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ V Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3320pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile12.984
STW32NM50N STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 500V 22A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1973pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 190W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile13.140
STW33N60DM2 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 24A Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ DM2 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 190W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile15.732
STW33N60M2 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 26A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II Plus Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 26A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1781pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 190W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile18.852
STW33N60M6 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo NCHANNEL 600 V 105 MOHM TYP. 26 Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ M6 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile8.460
STW34N65M5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 28A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ V Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 28A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 190W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile21.588
STW34NB20 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 34A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 180W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile8.298
STW34NM60N STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 29A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 29A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 14.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2722pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 250W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile18.060
STW34NM60ND STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 29A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: FDmesh™ II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 29A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2785pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 190W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile8.838
STW35N60DM2 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 28A Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ DM2 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 28A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 210W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile14.604
STW35N60M2-EP STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ M2-EP Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile4.410
STW35N65M5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 27A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ V Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 27A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3750pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 160W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile21.444
STW36N55M5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 550V 33A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ V Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 550V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 33A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2950pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 190W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile7.980
STW36N60M6 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247 Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ M6 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1960pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 208W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile7.800
STW36NM60N STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 29A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 29A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 14.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2722pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 210W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile6.228
STW36NM60ND STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 29A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, FDmesh™ II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 29A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2785pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 190W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile4.266
STW37N60DM2AG STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 28A Produttore: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 28A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 210W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile18.240
STW38N65M5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 30A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ V Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 190W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile3.456
STW38N65M5-4 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4L Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ M5 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 190W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-4L Pacchetto / Custodia: TO-247-4	Disponibile6.072
STW38NB20 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 38A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 38A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3800pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 180W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile7.794
STW3N150 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 1.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 939pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 140W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile8.928
STW3N170 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1700V 2.6A TO247-3 Produttore: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 1.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 160mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile4.554
STW40N20 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 40A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 160W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile5.940
STW40N60M2 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 34A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II Plus Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 250W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile19.068
STW40N60M2-4 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 34A TO-247 Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II Plus Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 250W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile4.824

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