Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
STFILED627 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 620V 7A I2PAK Produttore: STMicroelectronics Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 620V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 890pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I2PAKFP (TO-281) Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Disponibile6.480
STFU10N80K5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ K5 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 635pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile4.896
STFU10NK60Z STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET Produttore: STMicroelectronics Serie: SuperMESH™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1370pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 35W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile7.200
STFU13N60M2 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V TO-220FP Produttore: STMicroelectronics Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile2.448
STFU13N65M2 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 10A TO-220FP Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ M2 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 25W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile12.342
STFU13N80K5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ K5 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 35W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile36.138
STFU15N80K5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 14A TO-220FP Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ K5 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 35W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile8.856
STFU15NM65N STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FP Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 983pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile8.616
STFU16N65M2 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ M2 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 718pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile13.758
STFU18N60M2 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V TO-220FP Produttore: STMicroelectronics Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile4.230
STFU18N65M2 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 12A Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ M2 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile18.672
STFU23N80K5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ K5 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 35W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile4.698
STFU24N60M2 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 18A TO-220FP Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ M2 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile5.508
STFU28N65M2 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 20A Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ M2 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1440pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile7.632
STFU6N65 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo N-CHANNEL 650 V, 1.2 OHM TYP., 4 Produttore: STMicroelectronics Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 463pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 620mW (Ta), 77W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TA) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile17.112
STFU9N65M2 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ M2 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 315pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 20W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile2.106
STFV3N150 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-220FH Produttore: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 1.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 939pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Disponibile4.302
STFV4N150 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1500V 4A TO-220FH Produttore: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 40W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Disponibile3.454
STFW12N120K5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1200V 12A TO-3PF Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ K5 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1370pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 63W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: ISOWATT-218FX Pacchetto / Custodia: ISOWATT218FX	Disponibile3.726
STFW1N105K3 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO3PF Produttore: STMicroelectronics Serie: SuperMESH3™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1050V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 600mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 20W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: ISOWATT-218FX Pacchetto / Custodia: ISOWATT218FX	Disponibile7.074
STFW20N65M5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 18A TO-3PF Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ M5 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1434pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 48W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: ISOWATT-218FX Pacchetto / Custodia: ISOWATT218FX	Disponibile7.362
STFW24N60M2 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 18A TO-3PF Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II Plus Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 48W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF Pacchetto / Custodia: TO-3PF	Disponibile5.022
STFW24NM60N STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V TO-3PH Produttore: STMicroelectronics Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile7.470
STFW2N105K5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1050V 2A TO-3PF Produttore: STMicroelectronics Serie: SuperMESH5™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1050V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (massimo): 30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: ISOWATT-218FX Pacchetto / Custodia: ISOWATT218FX	Disponibile7.038
STFW38N65M5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 30A TO-3PF Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ V Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 57W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: ISOWATT-218FX Pacchetto / Custodia: ISOWATT218FX	Disponibile2.664
STFW3N150 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3PF Produttore: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 1.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 939pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 63W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: ISOWATT-218FX Pacchetto / Custodia: ISOWATT218FX	Disponibile14.562
STFW3N170 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1700V 2.6A Produttore: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 1.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 63W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: ISOWATT-218FX Pacchetto / Custodia: ISOWATT218FX	Disponibile8.244
STFW40N60M2 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 34A TO-3PF Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II Plus Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 63W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: ISOWATT-218FX Pacchetto / Custodia: ISOWATT218FX	Disponibile6.966
STFW42N60M2-EP STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 34A Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ M2 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2370pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 63W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: ISOWATT-218FX Pacchetto / Custodia: ISOWATT218FX	Disponibile4.626
STFW45N65M5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 35A TO-3PF Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ V Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3470pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 57W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: ISOWATT-218FX Pacchetto / Custodia: ISOWATT218FX	Disponibile2.772

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