Transistor

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
SSM3J56ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: CST3 Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883	Disponibile4.374
SSM3J56MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 0.8A VESM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 800mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: VESM Pacchetto / Custodia: SOT-723	Disponibile1.150.926
SSM3J64CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-1 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVII Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: CST3C Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883	Disponibile80.796
SSM3J65CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVII Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 700mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: CST3C Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883	Disponibile201.270
SSM3J66MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS-20 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile7.362
SSM3K01T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSVI Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.6A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 152pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.25W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TSM Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile8.766
SSM3K09FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo X34 PB USM S-MOS (LF) TRANSISTOR Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSVI Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 400mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 200MA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 5V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: USM Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323	Disponibile27.102
SSM3K106TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSVI Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 600mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: UFM Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile3.060
SSM3K116TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIII Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 245pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: UFM Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile22.986
SSM3K122TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS20V Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile4.986
SSM3K123TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIII Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6nC @ 4V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1010pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: UFM Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile2.646
SSM3K127TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS30V Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile2.052
SSM3K131TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS30V Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile8.586
SSM3K15ACTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 100MA CST3C Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIII Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: CST3C Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883	Disponibile2.070
SSM3K15ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIII Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: CST3 Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883	Disponibile7.722
SSM3K15ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIII Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: CST3 Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883	Disponibile6.840
SSM3K15AFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 0.1A SSM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIII Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SSM Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416	Disponibile1.362.366
SSM3K15AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 0.1A SSM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIII Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: USM Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323	Disponibile134.478
SSM3K15AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 0.1A U-MOS III Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIII Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: VESM Pacchetto / Custodia: SOT-723	Disponibile569.142
SSM3K15CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSVI Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8pF @ 3V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: CST3 Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883	Disponibile4.248
SSM3K15F,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo X34 : SMALL LOW ON RESISTANCE NC Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8pF @ 3V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 200mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: S-Mini Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile29.868
SSM3K15FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH SGL 30V 0.1A SSM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSVI Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8pF @ 3V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 200mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SSM Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416	Disponibile4.122
SSM3K16CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo X34 SMALL LOW ON RESISTANCE NCH Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: CST3C Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883	Disponibile81.390
SSM3K16CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo X34 PB-F CST3 FET (LF) TRANSISTO Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSIV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: CST3 Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883	Disponibile2.322
SSM3K16CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 0.1A CST3 S-MOS Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSVI Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: CST3 Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883	Disponibile7.722
SSM3K16FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 0.1A USM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSVI Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: USM Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323	Disponibile8.046
SSM3K17FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 50V 0.1A USM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±7V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 3V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: USM Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323	Disponibile625.428
SSM3K17SU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 50V 100MA USM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 3V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta) Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: USM Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323	Disponibile4.392
SSM3K17SU,LF(D Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 50V 100MA USM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile6.336
SSM3K2615R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 2A SOT23 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSV Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23F Pacchetto / Custodia: SOT-23-3 Flat Leads	Disponibile559.686

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