Transistor

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
HCT700 TT Electronics/Optek Technology	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS NPN/PNP 50V/60V SMT Produttore: TT Electronics/Optek Technology Serie: - Tipo di transistor: NPN, PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 800mA, 600mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V, 60V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Corrente - Taglio collettore (Max): 10nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V Potenza - Max: 400mW Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile2.160
HCT700TX TT Electronics/Optek Technology	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS NPN/PNP 50V/60V SMT Produttore: TT Electronics/Optek Technology Serie: - Tipo di transistor: NPN, PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 800mA, 600mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V, 60V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Corrente - Taglio collettore (Max): 10nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V Potenza - Max: 400mW Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.254
HCT700TXV TT Electronics/Optek Technology	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS NPN/PNP 50V/60V SMT Produttore: TT Electronics/Optek Technology Serie: - Tipo di transistor: NPN, PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 800mA, 600mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V, 60V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Corrente - Taglio collettore (Max): 10nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V Potenza - Max: 400mW Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile5.544
HN1A01FE-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Potenza - Max: 100mW Frequenza - Transizione: 80MHz Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: ES6	Disponibile3.600
HN1A01FE-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Potenza - Max: 100mW Frequenza - Transizione: 80MHz Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: ES6	Disponibile60.828
HN1A01F-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Potenza - Max: 300mW Frequenza - Transizione: 80MHz Temperatura di esercizio: 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457 Pacchetto dispositivo fornitore: SM6	Disponibile3.490
HN1A01FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Potenza - Max: 200mW Frequenza - Transizione: 80MHz Temperatura di esercizio: 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile6.660
HN1A01FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS 2PNP 50V 0.15A US6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Potenza - Max: 200mW Frequenza - Transizione: 80MHz Temperatura di esercizio: 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile6.120
HN1A01F-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 PNP (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Potenza - Max: 300mW Frequenza - Transizione: 80MHz Temperatura di esercizio: 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457 Pacchetto dispositivo fornitore: SM6	Disponibile24.414
HN1B01FDW1T1 ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN, PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 200mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA Corrente - Taglio collettore (Max): 2µA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Potenza - Max: 380mW Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-74	Disponibile5.616
HN1B01FDW1T1G ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN, PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 200mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA Corrente - Taglio collettore (Max): 2µA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Potenza - Max: 380mW Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-74	Disponibile53.316
HN1B01F-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN, PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Potenza - Max: 300mW Frequenza - Transizione: 120MHz Temperatura di esercizio: 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457 Pacchetto dispositivo fornitore: SM6	Disponibile5.076
HN1B01FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN, PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Potenza - Max: 200mW, 210mW Frequenza - Transizione: 150MHz Temperatura di esercizio: 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile2.844
HN1B01FU-Y(L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN, PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Potenza - Max: 200mW Frequenza - Transizione: 120MHz Temperatura di esercizio: 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile4.266
HN1B04FE-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN, PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Potenza - Max: 100mW Frequenza - Transizione: 80MHz Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: ES6	Disponibile71.742
HN1B04FE-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN, PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Potenza - Max: 100mW Frequenza - Transizione: 80MHz Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: ES6	Disponibile4.104
HN1B04F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN, PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 30V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V Potenza - Max: 300mW Frequenza - Transizione: 200MHz Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457 Pacchetto dispositivo fornitore: SM6	Disponibile7.866
HN1B04FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN, PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Potenza - Max: 200mW Frequenza - Transizione: 150MHz Temperatura di esercizio: 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile6.444
HN1B04FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array X34 PB-F US6 PLN (LF) TRANSISTOR Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN, PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Potenza - Max: 200mW Frequenza - Transizione: 150MHz Temperatura di esercizio: 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile23.454
HN1B04FU-Y(T5L,F,T Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN, PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Potenza - Max: 200mW Frequenza - Transizione: 150MHz Temperatura di esercizio: 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile3.654
HN1C01FE-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Potenza - Max: 100mW Frequenza - Transizione: 80MHz Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: ES6	Disponibile35.094
HN1C01FE-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Potenza - Max: 100mW Frequenza - Transizione: 80MHz Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore: ES6	Disponibile8.370
HN1C01F-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Potenza - Max: 300mW Frequenza - Transizione: 800MHz Temperatura di esercizio: 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457 Pacchetto dispositivo fornitore: SM6	Disponibile5.310
HN1C01FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS 2NPN 50V 0.15A US6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Potenza - Max: 200mW Frequenza - Transizione: 80MHz Temperatura di esercizio: 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile6.390
HN1C01FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO50 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo di transistor: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Potenza - Max: - Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile5.508
HN1C01FU-Y(T5L,F,T Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS 2NPN 50V 0.15A US6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Potenza - Max: 200mW Frequenza - Transizione: 80MHz Temperatura di esercizio: 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile3.834
HN1C01FYTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Potenza - Max: 300mW Frequenza - Transizione: 80MHz Temperatura di esercizio: 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457 Pacchetto dispositivo fornitore: SM6	Disponibile24.414
HN1C03F-B(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 300mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 20V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V Potenza - Max: 300mW Frequenza - Transizione: 30MHz Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457 Pacchetto dispositivo fornitore: SM6	Disponibile3.042
HN1C03FU-A(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array TRANS 2NPN 20V 0.3A US6 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 300mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 20V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V Potenza - Max: 200mW Frequenza - Transizione: 30MHz Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: US6	Disponibile2.790
HN1C03FU-B,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Array NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo di transistor: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Potenza - Max: - Frequenza - Transizione: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile6.984

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