Transistor

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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
SPA15N60C3XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 15A TO-220 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1660pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 34W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile6.876
SPA15N60CFDXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 13.4A TO220-FP Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13.4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1820pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 34W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile7.884
SPA15N65C3XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 34W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile8.604
SPA16N50C3XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 560V 16A TO220FP Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 560V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 34W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile7.398
SPA17N80C3XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 17A TO220FP Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2320pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 42W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile53.322
SPA20N60C3XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 34.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-3-31 Full Pack Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile17.898
SPA20N60CFDXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 13.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 35W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile5.004
SPA20N65C3XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 34.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile2.772
SPA21N50C3XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 560V 21A TO220FP Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 560V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 21A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 34.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile7.182
SPB02N60C3ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3-2 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile4.572
SPB02N60S5ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-263 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 80µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 240pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3-2 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile2.754
SPB03N60C3ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 3.2A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 38W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3-2 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.246
SPB03N60S5ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-263 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 135µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 38W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3-2 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile8.784
SPB04N50C3ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 560V 4.5A TO-263 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 560V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3-2 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile7.020
SPB04N60C3ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 4.5A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3-2 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile4.356
SPB04N60S5ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-263 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3-2 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile8.550
SPB07N60C3ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 7.3A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 83W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3-2 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile18.840
SPB07N60S5ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-263 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 350µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 83W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3-2 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile3.762
SPB08P06P Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 42W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3-2 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile8.586
SPB08P06PGATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263 Produttore: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 42W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile2.700
SPB100N03S2-03 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7020pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3-2 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile8.622
SPB100N03S2-03 G Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7020pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3-2 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile7.794
SPB100N03S203T Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7020pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3-2 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile29.976
SPB100N03S2L-03 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8180pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3-2 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile3.454
SPB100N03S2L-03 G Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8180pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3-2 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile3.744
SPB100N03S2L03T Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8180pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3-2 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile4.158
SPB100N04S2-04 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7220pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3-2 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile5.562
SPB100N04S2L-03 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3-2 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile2.322
SPB100N06S2-05 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6800pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3-2 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.228
SPB100N06S2L-05 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7530pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3-2 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile7.218

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