Transistor

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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
SI6466ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.05W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	Disponibile2.502
SI6467BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 6.8A 8-TSSOP Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 850mV @ 450µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.05W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	Disponibile8.748
SI6467BDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 850mV @ 450µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.05W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	Disponibile5.454
SI6469DQ-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 8V 8TSSOP Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	Disponibile5.400
SI6469DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 8V 8TSSOP Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	Disponibile4.608
SI6473DQ-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.08W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	Disponibile6.282
SI6473DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.08W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	Disponibile7.236
SI7100DN-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105nC @ 8V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3810pF @ 4V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 52W (Tc) Temperatura di esercizio: -50°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8	Disponibile3.762
SI7100DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105nC @ 8V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3810pF @ 4V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 52W (Tc) Temperatura di esercizio: -50°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8	Disponibile6.462
SI7101DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3595pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8	Disponibile134.202
SI7102DN-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 8V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3720pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 52W (Tc) Temperatura di esercizio: -50°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8	Disponibile3.834
SI7102DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 8V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3720pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 52W (Tc) Temperatura di esercizio: -50°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8	Disponibile5.454
SI7104DN-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 26.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2800pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 52W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8	Disponibile3.564
SI7104DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 26.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2800pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 52W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8	Disponibile8.082
SI7106DN-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8	Disponibile2.934
SI7106DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8	Disponibile7.632
SI7107DN-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 15.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 450µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8	Disponibile6.678
SI7107DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 15.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 450µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8	Disponibile3.798
SI7108DN-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8	Disponibile2.268
SI7108DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8	Disponibile24.840
SI7110DN-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 21.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8	Disponibile26.082
SI7110DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 21.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8	Disponibile7.308
SI7111EDN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 60A POWERPAK1212 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen III Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.55mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 2.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5860pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 52W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8	Disponibile8.892
SI7112DN-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11.3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2610pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -50°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8	Disponibile6.642
SI7112DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11.3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2610pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -50°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8	Disponibile57.576
SI7113ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 100V 10.8A 1212-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 515pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 27.8W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8	Disponibile3.580
SI7113DN-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1480pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Temperatura di esercizio: -50°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8	Disponibile26.706
SI7113DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1480pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Temperatura di esercizio: -50°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8	Disponibile279.378
SI7114ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1230pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.7W (Ta), 39W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8	Disponibile2.214
SI7114DN-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11.7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerPAK® 1212-8 Pacchetto / Custodia: PowerPAK® 1212-8	Disponibile27.162

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