Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

Pagina 1665/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
PSMN016-100YS,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH LFPAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 51A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2744pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 117W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669	Disponibile15.678
PSMN017-30BL,118 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 32A D2PAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 552pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 47W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile13.242
PSMN017-30EL,127 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 32A I2PAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 552pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 47W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I2PAK Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile25.122
PSMN017-30LL,115 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH QFN3333 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 526pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 37W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN3333 (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-VDFN Exposed Pad	Disponibile2.466
PSMN017-30PL,127 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 32A TO220AB Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 552pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 45W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile245.436
PSMN017-60YS,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 44A LFPAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 44A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1172pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 74W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669	Disponibile514.374
PSMN017-80BS,118 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 50A D2PAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1573pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 103W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile24.198
PSMN017-80PS,127 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V TO220AB Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1573pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 103W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile36.642
PSMN018-100ESFQ Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 100V 53A I2PAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 53A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1482pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 111W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I2PAK Pacchetto / Custodia: TO-220-3, Short Tab	Disponibile7.326
PSMN018-100PSFQ Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 53A TO220AB Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 53A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1482pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 111W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile3.816
PSMN018-80YS,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 45A LFPAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 45A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1640pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 89W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669	Disponibile297.786
PSMN019-100YLX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V LFPAK56 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 56A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5085pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 167W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669	Disponibile7.074
PSMN020-100YS,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 43A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2210pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 106W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669	Disponibile67.848
PSMN020-150W,127 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 73A SOT429 Produttore: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 73A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9537pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile4.698
PSMN020-30MLCX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 31.8A LFPAK33 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 31.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.1mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 33W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK33 Pacchetto / Custodia: SOT-1210, 8-LFPAK33	Disponibile6.606
PSMN021-100YLX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V LFPAK56 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 49A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4640pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 147W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669	Disponibile84.282
PSMN022-30BL,118 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 447pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 41W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile59.658
PSMN022-30PL,127 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V TO220AB Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 447pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 41W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile138.282
PSMN023-40YLCX NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 24A LFPAK Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669	Disponibile8.388
PSMN023-80LS,115 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 34A QFN3333 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1295pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 65W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN3333 (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-VDFN Exposed Pad	Disponibile3.132
PSMN025-100D,118 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 47A DPAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 47A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile328.752
PSMN025-80YLX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V LFPAK56 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 37A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2703pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 95W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669	Disponibile16.674
PSMN026-80YS,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 34A LFPAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 74W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669	Disponibile177.066
PSMN027-100BS,118 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 37A D2PAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 37A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.8mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1624pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 103W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile42.210
PSMN027-100PS,127 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V TO220AB Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 37A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.8mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1624pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 103W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile258.252
PSMN027-100XS,127 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 23.4A TO220F Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 23.4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.8mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1624pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 41.1W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220F Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Disponibile3.852
PSMN028-100YS,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 42A LFPAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1634pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 89W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669	Disponibile263.052
PSMN030-150B,118 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 55.5A D2PAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 55.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3680pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 250W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile3.222
PSMN030-150P,127 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 55.5A TO220AB Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 55.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3680pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 250W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile4.086
PSMN030-60YS,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 29A LFPAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 29A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.7mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 686pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 56W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669	Disponibile61.362

«
‹
1
...
1662
1663
1664
1665 (current)
1666
1667
1668
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistor

Risorse

Supporto

Social Media

Need Help?
Send Message