Transistor

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Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
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Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
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Record 64.903

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
PMV30UN2R Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V SOT23 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 655pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 490mW (Ta), 5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile401.988
PMV30UN2VL Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 5.4A TO236AB Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 655pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 490mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile8.928
PMV30XN,215 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 380mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB (SOT23) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile6.516
PMV30XPEAR Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V TO-236AB Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1465pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 490mW (Ta), 5.435W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile598.338
PMV31XN,215 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT-23 Produttore: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 280mW (Tj) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB (SOT23) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile2.754
PMV32UP,215 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 510mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile23.286
PMV32UP/MIR Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo SMALL SIGNAL MOSFET Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 510mW (Ta), 4.15W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile2.628
PMV33UPE,215 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 4.4A TO-236AB Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1820pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 490mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile45.156
PMV35EPER Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 480mW (Ta), 1.2W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile7.182
PMV37EN,215 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 3.1A SOT-23 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 380mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB (SOT23) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile4.176
PMV37EN2R Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V SOT23 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 209pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 510mW (Ta), 5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile250.104
PMV37ENEAR Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo PMV37ENEA/SOT23/TO-236AB Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile42.360
PMV40UN,215 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23 Produttore: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 445pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.9W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB (SOT23) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile3.366
PMV40UN2R Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 3.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 635pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 490mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile1.782.378
PMV42ENER Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V TO-236AB Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 281pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta), 5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile5.292
PMV450ENEAR Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V TO-236AB Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 800mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 900mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 101pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 323mW (Ta), 554mW (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile7.326
PMV45EN,215 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT-23 Produttore: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 280mW (Tj) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB (SOT23) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile2.340
PMV45EN2R Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V SOT23 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 209pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 510mW (Ta), 5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile1.061.622
PMV45EN2VL Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 209pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 510mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile7.920
PMV48XP,215 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 510mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile219.624
PMV48XPAR Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 510mW (Ta), 4.15W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile93.492
PMV48XP/MIR Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V SOT23 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1nF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 510mW (Ta), 4.15W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile3.348
PMV48XPVL Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 510mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile8.460
PMV50ENEAR Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V TO-236AB Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 276pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 510mW (Ta), 3.9W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile6.732
PMV50EPEAR Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 310mW (Ta), 455mW (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile25.176
PMV50UPE,215 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 3.2A TO-236AB Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 24pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile23.274
PMV50UPEVL Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 3.7A TO236AB Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 24pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile6.732
PMV50XPR Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V SOT23 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 744pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 490mW (Ta), 4.63W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile111.090
PMV55ENEAR Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V TO-236AB Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 646pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 478mW (Ta), 8.36W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile5.472
PMV56XN,215 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 3.76A SOT23 Produttore: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.76A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 650mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.92W (Tc) Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB (SOT23) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile3.508

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