Transistor

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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
NTP85N03RG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 28V 85A TO220AB Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 28V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 85A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2150pF @ 24V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 80W (Tc) Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile3.348
NTP8G202NG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 9A TO220 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±18V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 65W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile4.608
NTP8G206NG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 17A TO220 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±18V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 480V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 96W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile3.598
NTP90N02 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 24V 90A TO220AB Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 24V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 90A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2120pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 85W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile6.498
NTP90N02G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 24V 90A TO220AB Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 24V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 90A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2120pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 85W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile5.724
NTPF082N65S3F ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo SUPERFET3 650V TO220F PKG Produttore: ON Semiconductor Serie: SuperFET® III Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3240pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 48W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220F Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile12.756
NTPF110N65S3HF ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo SUPERFET3 650V FRFET,110M Produttore: ON Semiconductor Serie: FRFET®, SuperFET® III Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 740µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2635pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 240W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile18.636
NTPF150N65S3HF ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 24A Produttore: ON Semiconductor Serie: FRFET®, SuperFET® III Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1985pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 192W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile3.114
NTPF190N65S3HF ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo SUPERFET3 650V FRFET,190M Produttore: ON Semiconductor Serie: FRFET®, SuperFET® III Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1610pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 36W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile2.520
NTQS6463R2 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 6.8A 8-TSSOP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 930mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	Disponibile8.442
NTR0202PLT1 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 400MA SOT-23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 400mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.18nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 5V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 225mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile3.508
NTR0202PLT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 400MA SOT-23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 400mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.18nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 5V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 225mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile617.772
NTR0202PLT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 400MA SOT-23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 400mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.18nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 5V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 225mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile7.092
NTR1P02LT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 5V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile711.030
NTR1P02LT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 5V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile3.114
NTR1P02T1 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 5V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile3.528
NTR1P02T1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 5V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile566.106
NTR1P02T3 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 5V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile8.640
NTR1P02T3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 5V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile2.160
NTR2101PT1 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1173pF @ 4V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 960mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile3.526
NTR2101PT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1173pF @ 4V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 960mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile717.336
NTR3161NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 820mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile5.346
NTR3162PT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT-23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 940pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 480mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile2.016
NTR3162PT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT-23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 940pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 480mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile5.904
NTR3A052PZT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1243pF @ 4V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 860mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 (TO-236AB) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile166.146
NTR3A30PZT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1651pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 480mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile156.942
NTR3C21NZT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1540pF @ 16V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 470mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile53.982
NTR3C21NZT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1540pF @ 16V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 470mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile3.888
NTR4003NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 21pF @ 5V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 690mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile323.772
NTR4003NT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 21pF @ 5V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 690mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile1.124.922

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