Transistor

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
NTMS4939NR2G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 8A 8SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile7.002
NTMS4N01R2G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 770mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile3.330
NTMS4P01R2 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 3.4A 8-SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1850pF @ 9.6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 790mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile3.348
NTMS5835NLR2G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2115pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile3.168
NTMS5838NLR2G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 7.5A 8SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile3.438
NTMS5P02R2G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.95A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 16V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 790mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile8.424
NTMS5P02R2SG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.95A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 16V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 790mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile4.698
NTMS7N03R2 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile8.118
NTMS7N03R2G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile24.324
NTMSD2P102LR2 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: FETKY™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V Funzione FET: Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max): 710mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile7.614
NTMSD2P102LR2G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: FETKY™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V Funzione FET: Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max): 710mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile2.100
NTMSD2P102R2 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V Funzione FET: Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile4.014
NTMSD2P102R2SG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V Funzione FET: Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile8.910
NTMSD3P102R2 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: FETKY™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.34A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.05A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V Funzione FET: Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max): 730mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile2.100
NTMSD3P102R2G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: FETKY™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.34A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.05A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V Funzione FET: Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max): 730mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile5.922
NTMSD3P102R2SG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: FETKY™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.34A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.05A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V Funzione FET: Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max): 730mW (Ta) Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile8.136
NTMSD3P303R2G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: FETKY™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.34A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.05A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 24V Funzione FET: Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max): 730mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile2.952
NTMSD6N303R2 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: FETKY™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V Funzione FET: Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile8.244
NTMSD6N303R2G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: FETKY™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V Funzione FET: Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile5.166
NTMSD6N303R2SG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: FETKY™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V Funzione FET: Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile3.906
NTMTS001N06CLTXG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo T6 60V LL PQFN8*8 EXPANSI Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 398.2A Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.81mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile3.906
NTMTS001N06CTXG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo T6 60V SG PQFN8*8 EXPANSI Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 53.7A (Ta), 376A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.91mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8705pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 5W (Ta), 244W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFNW (8.3x8.4) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile5.886
NTMTS0D4N04CLTXG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 8PQFN Produttore: ON Semiconductor Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile2.484
NTMTS0D4N04CTXG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 8PQFN Produttore: ON Semiconductor Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile3.798
NTMTS0D6N04CLTXG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSI Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 554.5A Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 16013pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile8.622
NTMTS0D6N04CTXG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo T6 40V SG PQFN8*8 EXPANSI Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 533A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 11800pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile2.736
NTMTS0D7N04CLTXG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 8PQFN Produttore: ON Semiconductor Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile6.174
NTMTS0D7N04CTXG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 8PQFN Produttore: ON Semiconductor Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile2.286
NTMTS0D7N06CLTXG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 8PQFN Produttore: ON Semiconductor Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile3.618
NTMTS0D7N06CTXG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 8PQFN Produttore: ON Semiconductor Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile3.204

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