Transistor

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
NTDV2955PT4G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 60V 12A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile6.768
NTDV3055L104-1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 12A IPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V Vgs (massimo): ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta), 48W (Tj) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I-PAK Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile8.298
NTDV5804NT4G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 69A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 69A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2850pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 71W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile7.164
NTDV5805NT4G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 51A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 51A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1725pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile8.982
NTDV6414ANT4G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 32A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK-3 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile6.228
NTE4151PT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 0.76A SC-89 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 760mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±6V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 156pF @ 5V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 313mW (Tj) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-89-3 Pacchetto / Custodia: SC-89, SOT-490	Disponibile91.020
NTE4153NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 915MA SC-89 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 915mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±6V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 16V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300mW (Tj) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-89-3 Pacchetto / Custodia: SC-89, SOT-490	Disponibile1.375.398
NTF2955PT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 492pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile6.498
NTF2955T1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 492pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile177.480
NTF3055-100T1 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.3W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 (TO-261) Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile5.976
NTF3055-100T1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.3W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 (TO-261) Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile6.012
NTF3055-100T1G-IRH1 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo NFET SOT223 60V 3A 0.100R Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.3W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 (TO-261) Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile6.102
NTF3055-100T3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.3W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile5.364
NTF3055-100T3LF ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.3W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile3.402
NTF3055-160T1 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.3W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile2.088
NTF3055-160T3LF ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.3W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile5.580
NTF3055L108T1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (massimo): ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.3W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile48.870
NTF3055L108T3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (massimo): ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.3W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile6.156
NTF3055L108T3LF ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (massimo): ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.3W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile7.056
NTF3055L108T3LFG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (massimo): ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.3W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile2.646
NTF3055L175T1 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V Vgs (massimo): ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.3W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 (TO-261) Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile6.822
NTF3055L175T1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V Vgs (massimo): ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.3W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 (TO-261) Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile8.838
NTF3055L175T3 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V Vgs (massimo): ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.3W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 (TO-261) Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile2.268
NTF3055L175T3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V Vgs (massimo): ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.3W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 (TO-261) Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile4.824
NTF3055L175T3LF ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V Vgs (massimo): ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.3W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 (TO-261) Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile7.038
NTF5P03T3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.56W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile2.790
NTF6P02T3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 10A SOT223 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 16V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 8.3W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile4.248
NTGD3147FT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 10V Funzione FET: Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: -25°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP Pacchetto / Custodia: SOT-23-6	Disponibile5.670
NTGD4169FT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 295pF @ 15V Funzione FET: Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max): 900mW (Ta) Temperatura di esercizio: -25°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP Pacchetto / Custodia: SOT-23-6	Disponibile3.564
NTGS1135PT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±6V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 970mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP Pacchetto / Custodia: SOT-23-6	Disponibile4.644

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