Transistor

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
IXFX320N17T2 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 170V 320A PLUS247 Produttore: IXYS Serie: GigaMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 170V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 320A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 640nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 45000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1670W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS247™-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile7.722
IXFX32N100P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarP2™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 960W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS247™-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile5.958
IXFX32N100Q3 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9940pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1250W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS247™-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile4.279
IXFX32N48Q IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH PLUS247 Produttore: IXYS Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile6.012
IXFX32N50 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5450pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 360W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS247™-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile3.672
IXFX32N50Q IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3950pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 416W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS247™-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile3.888
IXFX32N80P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarHT™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8800pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 830W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS247™-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile4.914
IXFX32N80Q3 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6940pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1000W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS247™-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile6.360
IXFX32N90P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 900V 32A PLUS247 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarP2™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 960W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS247™-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile2.502
IXFX34N80 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 34A PLUS247 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 560W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS247™-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile6.720
IXFX360N10T IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247 Produttore: IXYS Serie: GigaMOS™ HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 360A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 525nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 33000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1250W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS247™-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile6.264
IXFX360N15T2 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 360A PLUS247 Produttore: IXYS Serie: GigaMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 360A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 715nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 47500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1670W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS247™-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile17.784
IXFX38N80Q2 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 38A PLUS247 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 38A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8340pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 735W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS247™-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile117
IXFX40N90P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH PLUS247 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarP2™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 960W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS247™-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile8.208
IXFX420N10T IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 420A PLUS247 Produttore: IXYS Serie: GigaMOS™ HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 420A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 670nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 47000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1670W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS247™-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile2.358
IXFX44N50Q IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 44A PLUS247 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 44A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS247™-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile2.844
IXFX44N55Q IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 550V 44A PLUS247 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 550V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 44A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS247™-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile2.160
IXFX44N60 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 44A PLUS247 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 44A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8900pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 560W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS247™-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile2.790
IXFX44N80P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarHT™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 44A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1040W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS247™-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile6.804
IXFX44N80Q3 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 44A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9840pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1250W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS247™-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile5.382
IXFX48N50Q IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 48A PLUS247 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 48A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS247™-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile6.564
IXFX48N60P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarHT™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 48A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8860pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 830W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS247™-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile6.984
IXFX48N60Q3 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 48A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7020pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1000W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS247™-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile5.742
IXFX50N50 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 50A PLUS247 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 520W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS247™-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile5.166
IXFX520N075T2 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 75V 520A PLUS247 Produttore: IXYS Serie: GigaMOS™, TrenchT2™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 520A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 41000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1250W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS247™-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile4.356
IXFX52N100X IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET 1KV 52A ULTRA JCT PLUS247 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 52A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6725pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1250W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS247™ Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile7.218
IXFX52N30Q IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 300V 52A PLUS247-3 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 300V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 52A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 360W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS247™-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile3.150
IXFX52N60Q2 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 52A PLUS247 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 52A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6800pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 735W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS247™-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile7.218
IXFX55N50 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 55A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 625W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS247™-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile8.100
IXFX55N50F IXYS-RF	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247 Produttore: IXYS-RF Serie: HiPerRF™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 55A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 27.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6700pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 560W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS247™-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile4.860

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