Transistor

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
IXFT58N20Q TRL IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 58A TO268 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 58A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 (IXFT) Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile7.956
IXFT60N25Q IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 60A TO-268 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5100pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 360W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile3.258
IXFT60N50P3 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 60A TO268 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™, Polar3™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6250pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1040W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile5.490
IXFT60N65X2HV IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 780W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268HV Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile8.280
IXFT69N30P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 300V 69A TO-268 Produttore: IXYS Serie: PolarHT™ HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 300V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 69A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4960pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile7.110
IXFT6N100F IXYS-RF	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1000V 6A TO268 Produttore: IXYS-RF Serie: HiPerRF™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1770pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 180W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 (IXFT) Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile6.396
IXFT6N100Q IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 180W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile5.994
IXFT70N15 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 70A TO-268 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile5.994
IXFT70N20Q3 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 70A TO-268 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3150pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 690W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile4.950
IXFT70N30Q3 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 300V 70A TO-268 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 300V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4735pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 830W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile8.568
IXFT74N20 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 74A TO-268 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 74A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 360W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile7.488
IXFT74N20Q IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH TO268 Produttore: IXYS Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile8.352
IXFT7N90Q IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 900V 7A TO-268 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 180W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile6.390
IXFT80N08 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 80A TO-268 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile2.880
IXFT80N085 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 85V 80A TO-268 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 85V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile4.104
IXFT80N10Q IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 80A TO-268 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 360W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile6.804
IXFT80N15Q IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 80A TO-268 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 360W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile5.166
IXFT80N20Q IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 80A TO-268 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 360W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile7.704
IXFT80N30P3 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 300V 80A TO-268 Produttore: IXYS Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile2.844
IXFT80N65X2HV IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 890W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268HV Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile3.526
IXFT86N30T IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 300V 86A TO268 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™, TrenchT2™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 300V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 86A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 11300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 860W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile8.496
IXFT88N28P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 280V 88A TO268 Produttore: IXYS Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile2.502
IXFT88N30P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 300V 88A TO268 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarP2™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 300V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 88A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 600W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile5.994
IXFT94N30P3 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 300V 94A TO-268 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™, Polar3™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 300V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 94A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 47A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5510pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1040W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile4.986
IXFT94N30T IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 300V 94A TO-268 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™, TrenchT2™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 300V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 94A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 47A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 11400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 890W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile8.460
IXFT96N20P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 96A TO-268 Produttore: IXYS Serie: PolarHT™ HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 96A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 600W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile5.598
IXFT9N80Q IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 9A TO-268 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 180W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-268 Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Disponibile8.964
IXFV110N10P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220 Produttore: IXYS Serie: PolarHT™ HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 110A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3550pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 480W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3, Short Tab	Disponibile2.916
IXFV110N10PS IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220-S Produttore: IXYS Serie: PolarHT™ HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 110A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3550pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 480W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS-220SMD Pacchetto / Custodia: PLUS-220SMD	Disponibile6.606
IXFV12N120P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarP2™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 543W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PLUS220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3, Short Tab	Disponibile7.650

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