Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
IRLZ24NSPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 45W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile8.082
IRLZ24NSTRL Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 45W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile2.736
IRLZ24NSTRLPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 45W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile30.162
IRLZ24NSTRR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 45W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile8.568
IRLZ24PBF Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 17A TO-220AB Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 60W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile24.510
IRLZ24S Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.7W (Ta), 60W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile5.112
IRLZ24SPBF Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.7W (Ta), 60W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile7.380
IRLZ24STRL Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.7W (Ta), 60W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile4.878
IRLZ24STRR Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.7W (Ta), 60W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile4.806
IRLZ34 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 88W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile3.780
IRLZ34L Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 30A TO-262 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.7W (Ta), 88W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262-3 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile6.084
IRLZ34NL Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 30A TO-262 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 68W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile8.946
IRLZ34NLPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 30A TO-262 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 68W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile7.002
IRLZ34NPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 30A TO-220AB Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 68W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile746.436
IRLZ34NS Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 68W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile8.676
IRLZ34NSPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 68W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile4.716
IRLZ34NSTRLPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 68W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile256.224
IRLZ34NSTRR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 68W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile7.758
IRLZ34PBF Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 88W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile24.054
IRLZ34S Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.7W (Ta), 88W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile3.492
IRLZ34SPBF Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.7W (Ta), 88W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile13.308
IRLZ34STRL Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.7W (Ta), 88W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile4.518
IRLZ34STRR Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.7W (Ta), 88W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile3.636
IRLZ44 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66nC @ 5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile6.570
IRLZ44L Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 50A TO-262 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66nC @ 5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262-3 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile4.896
IRLZ44NL Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 47A TO-262 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 47A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile2.376
IRLZ44NLPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 47A TO-262 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 47A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile3.240
IRLZ44NPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 47A TO-220AB Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 47A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile18.768
IRLZ44NSPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 47A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.084
IRLZ44NSTRLPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 47A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile17.388

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