Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
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Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
IRL1004L Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 130A TO-262 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 130A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 78A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5330pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile5.364
IRL1004LPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 130A TO-262 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 130A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 78A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5330pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile7.596
IRL1004PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 130A TO-220AB Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 130A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 78A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5330pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 200W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile20.844
IRL1004S Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 130A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 78A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5330pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile3.852
IRL1004SPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 130A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 78A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5330pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile7.326
IRL1004STRL Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 130A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 78A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5330pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile7.794
IRL1004STRLPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 130A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 78A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5330pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.066
IRL1004STRR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 130A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 78A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5330pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile4.428
IRL1004STRRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 130A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 78A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5330pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile8.118
IRL100HS121 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 6PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 11.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-PQFN (2x2) Pacchetto / Custodia: 6-VDFN Exposed Pad	Disponibile8.388
IRL1104 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 104A TO-220AB Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 104A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3445pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 167W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile6.678
IRL1104L Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 104A TO-262 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 104A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3445pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.4W (Ta), 167W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile8.478
IRL1104LPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 104A TO-262 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 104A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3445pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.4W (Ta), 167W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile3.438
IRL1104PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 104A TO-220AB Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 104A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3445pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 167W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile7.956
IRL1104S Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 104A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3445pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.4W (Ta), 167W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.930
IRL1104SPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 104A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3445pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.4W (Ta), 167W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile2.214
IRL1104STRL Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 104A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3445pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.4W (Ta), 167W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile3.906
IRL1104STRLPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 104A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3445pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.4W (Ta), 167W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile5.778
IRL1104STRR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 104A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3445pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.4W (Ta), 167W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile2.898
IRL1404L Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 160A TO-262 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 160A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile2.268
IRL1404LPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 160A TO-262 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 160A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile3.852
IRL1404PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 160A TO-220AB Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 160A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6590pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 200W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile43.890
IRL1404S Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 160A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.786
IRL1404SPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 160A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile8.046
IRL1404STRLPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 160A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile7.974
IRL1404ZL Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 75A TO-262 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5080pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 230W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile6.066
IRL1404ZLPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 75A TO-262 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5080pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 230W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile4.194
IRL1404ZPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5080pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 230W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile18.228
IRL1404ZS Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5080pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 230W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.732
IRL1404ZSPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5080pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 230W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.210

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