Transistor

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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
IRFSL7730PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 75V 195A TO262 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET®, StrongIRFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 195A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13660pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 375W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile8.874
IRFSL7734PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 75V 183A TO262 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET®, StrongIRFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 183A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10150pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 290W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile8.316
IRFSL7762PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 75V 85A TO262 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET®, StrongIRFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 85A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 51A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4440pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 140W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile6.708
IRFSL7787PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 75V 76A TO262 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET®, StrongIRFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 76A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 46A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 125W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile8.712
IRFSL9N60A Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 170W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262-3 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile6.858
IRFSL9N60APBF Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 170W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I2PAK Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile10.380
IRFSL9N60ATRL Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 170W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I2PAK Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile2.916
IRFSL9N60ATRR Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 170W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I2PAK Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile2.934
IRFTS8342TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP Pacchetto / Custodia: SOT-23-6	Disponibile2.988
IRFTS9342TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 595pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP Pacchetto / Custodia: SOT-23-6	Disponibile43.068
IRFU010 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 50V 8.2A I-PAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-251AA Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile5.382
IRFU014 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-251AA Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile3.618
IRFU014PBF Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-251AA Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile6.336
IRFU020 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-251AA Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile4.248
IRFU020PBF Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-251AA Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile8.208
IRFU024 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-251AA Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile8.550
IRFU024NPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 370pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 45W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: IPAK (TO-251) Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile15.246
IRFU024PBF Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-251AA Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile25.506
IRFU1010Z Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2840pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 140W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: IPAK (TO-251) Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile8.262
IRFU1010ZPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2840pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 140W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: IPAK (TO-251) Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile5.292
IRFU1018EPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 56A I-PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 56A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2290pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 110W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: IPAK (TO-251) Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile5.796
IRFU110 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-251AA Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile7.326
IRFU110PBF Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-251AA Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile24.168
IRFU120 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-251AA Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile5.418
IRFU1205 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 44A I-PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 44A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 107W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: IPAK (TO-251) Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile4.248
IRFU1205PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 44A I-PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 44A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 107W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: IPAK (TO-251) Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile6.240
IRFU120ATU ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 8.4A IPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 32W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I-PAK Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile7.830
IRFU120NPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 9.4A I-PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 48W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: IPAK (TO-251) Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile12.588
IRFU120PBF Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-251AA Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile18.324
IRFU120_R4941 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 8.4A I-PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: I-PAK Pacchetto / Custodia: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Disponibile8.892

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