Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

Pagina 1332/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
IPW60R099CPFKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 31A TO-247 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 31A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2800pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 255W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile6.636
IPW60R099P6XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V TO247-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P6 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 37.9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3330pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 278W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile12.810
IPW60R099P7XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 31A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1952pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 117W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile8.160
IPW60R105CFD7XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo HIGH POWER_NEW Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 21A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 9.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1752pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 106W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3-41 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile7.944
IPW60R120C7XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ C7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 92W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile8.118
IPW60R120P7XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 26A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1544pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 95W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile8.964
IPW60R125C6FKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 30A TO247 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 960µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2127pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 219W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile12.660
IPW60R125CFD7XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo HIGH POWER_NEW Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1503pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 92W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile7.908
IPW60R125CPFKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 25A TO-247 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 208W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile4.662
IPW60R125P6XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V TO247-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P6 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2660pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 219W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile7.056
IPW60R145CFD7XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo HIGH POWER_NEW Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile7.776
IPW60R160C6FKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 23.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1660pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 176W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile8.226
IPW60R160P6FKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V TO247-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P6 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 23.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2080pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 176W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile6.768
IPW60R165CPFKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 21A TO-247 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 21A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 192W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile8.010
IPW60R170CFD7XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V TO247-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CFD7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1199pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 75W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile11.484
IPW60R180C7XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ C7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 68W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile6.678
IPW60R180P7XKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1081pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 72W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile7.632
IPW60R190C6FKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 151W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile6.588
IPW60R190E6FKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 151W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile16.176
IPW60R190P6FKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P6 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µ Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 151W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile7.944
IPW60R199CPFKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 16A TO-247 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1520pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 139W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile3.744
IPW60R230P6FKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V TO247-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P6 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 6.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 530µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1450pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 126W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile8.838
IPW60R250CP Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 12A TO-247 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 104W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile4.734
IPW60R280C6FKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 104W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile6.864
IPW60R280E6FKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 104W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile8.874
IPW60R280P6FKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V TO247-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P6 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 430µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 104W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile4.896
IPW60R299CPFKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 11A TO-247 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 96W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile6.030
IPW60R330P6FKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 12A TO247-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ P6 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 370µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1010pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 93W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile4.878
IPW65R019C7FKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ C7 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9900pF @ 400V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 446W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile8.100
IPW65R037C6FKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ C6 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 83.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 33.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7240pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile7.596

«
‹
1
...
1329
1330
1331
1332 (current)
1333
1334
1335
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistor

Risorse

Supporto

Social Media

Need Help?
Send Message