Transistor

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Pagina 1302/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
IPFH6N03LA G Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 50A DPAK Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 71W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: P-TO252-3 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile3.870
IPG20N04S409ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL_30/40V Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile7.956
IPI020N06NAKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 29A TO262-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 29A (Ta), 120A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7800pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3W (Ta), 214W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO262-3-1 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile3.546
IPI023NE7N3 G Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206nC @ 10V Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14400pF @ 37.5V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO262-3 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile5.382
IPI024N06N3GHKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 23000pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 250W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO262-3 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile6.660
IPI024N06N3GXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 120A Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 23000pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 250W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO262-3-1 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile29.736
IPI028N08N3GHKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14200pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO262-3 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile7.488
IPI029N06NAKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 24A TO262-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4100pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3W (Ta), 136W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO262-3 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile10.248
IPI030N10N3GHKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14800pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO262-3 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile7.002
IPI030N10N3GXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 100A Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14800pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO262-3 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile6.210
IPI032N06N3 G Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13000pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 188W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO262-3 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile2.862
IPI032N06N3GAKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 120A Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13000pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 188W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO262-3 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile3.546
IPI034NE7N3 G Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 155µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117nC @ 10V Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8130pF @ 37.5V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 214W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO262-3 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile5.274
IPI037N06L3GHKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13000pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 167W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO262-3 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile8.532
IPI037N08N3GHKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8110pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 214W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO262-3 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile7.560
IPI037N08N3GXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 100A Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8110pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 214W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO262-3 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile4.014
IPI03N03LA Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 80A I2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7027pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO262-3 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile6.786
IPI040N06N3GHKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 11000pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 188W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO262-3 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile4.122
IPI040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 90A Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 11000pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 188W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO262-3 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile14.844
IPI041N12N3GAKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 120V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13800pF @ 60V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO262-3 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile5.580
IPI045N10N3GXK Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ 3 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 137A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8410pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 214W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO262-3 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile8.730
IPI045N10N3GXKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8410pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 214W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO262-3 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile8.172
IPI04CN10N G Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13800pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO262-3 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile5.040
IPI04N03LA Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 80A TO-262 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3877pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 107W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO262-3 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile3.598
IPI051N15N5AKSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MV POWER MOS Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile5.868
IPI052NE7N3 G Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4750pF @ 37.5V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO262-3 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile6.768
IPI057N08N3 G Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4750pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO262-3 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile5.274
IPI05CN10N G Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12000pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO262-3 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile2.934
IPI05N03LA Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 80A I2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3110pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 94W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO262-3 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile5.868
IPI06CN10N G Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9200pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 214W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO262-3 Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Disponibile8.748

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