Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
IPB120N06S403ATMA2 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13150pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 167W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3-2 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile8.190
IPB120N06S4H1ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 21900pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 250W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3-2 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile2.088
IPB120N06S4H1ATMA2 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 21900pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 250W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3-2 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile7.002
IPB120N08S403ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH TO263-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 223µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 11550pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 278W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3-2 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile2.268
IPB120N08S404ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH TO263-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6450pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 179W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile8.046
IPB120N10S403ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH TO263-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10120pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 250W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile7.452
IPB120N10S405ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH TO263-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6540pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 190W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.750
IPB120P04P404ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH TO263-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14790pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 136W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.930
IPB120P04P4L03ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234nC @ 10V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 15000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 136W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile81.570
IPB123N10N3GATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 58A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 46A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 94W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile23.592
IPB12CN10N G Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 67A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 67A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4320pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 125W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.012
IPB12CN10NGATMA2 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile2.556
IPB12CNE8N G Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 85V 67A TO263-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 85V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 67A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 67A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4340pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 125W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile7.506
IPB136N08N3 G Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 45A TO263-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 45A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1730pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 79W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.948
IPB13N03LB Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1355pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 52W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile5.328
IPB13N03LB G Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 30A TO-263 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1355pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 52W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.606
IPB140N08S404ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH TO263-7 Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 140A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 161W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-7-3 Pacchetto / Custodia: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	Disponibile3.690
IPB144N12N3GATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 120V 56A TO263-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 120V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 56A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 56A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3220pF @ 60V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 107W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile19.242
IPB147N03LGATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 20A TO263-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 31W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile8.748
IPB14N03LA Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1043pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 46W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3-2 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile8.442
IPB14N03LA G Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1043pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 46W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3-2 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile7.902
IPB14N03LAT Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1043pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 46W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3-2 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile5.490
IPB156N22NFDATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 220V TO263-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™FD Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 220V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 72A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6930pF @ 110V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-3 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile14.010
IPB160N04S203ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 160A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-7-3 Pacchetto / Custodia: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	Disponibile3.240
IPB160N04S203ATMA4 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 160A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-7-3 Pacchetto / Custodia: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	Disponibile3.258
IPB160N04S2L03ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 160A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6000pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-7-3 Pacchetto / Custodia: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	Disponibile8.352
IPB160N04S2L03ATMA2 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH TO262-7 Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 160A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6000pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-7-3 Pacchetto / Custodia: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	Disponibile8.658
IPB160N04S3H2ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 160A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 214W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-7-3 Pacchetto / Custodia: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	Disponibile13.944
IPB160N04S4H1ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 160A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10920pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 167W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-7-3 Pacchetto / Custodia: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	Disponibile21.762
IPB160N04S4LH1ATMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH TO263-7 Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 160A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 110µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V Vgs (massimo): +20V, -16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14950pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 167W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO263-7-3 Pacchetto / Custodia: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	Disponibile2.304

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