Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
FDMS2734 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 2.8A POWER56 Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Ta), 14A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 2.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2365pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 78W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MLP (5x6), Power56 Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile113.568
FDMS2D4N03S ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 163A 8PQFN Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 163A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6540pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 75W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6), Power56 Pacchetto / Custodia: 8-PowerSMD, Flat Leads	Disponibile7.884
FDMS2D5N08C ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 166A POWER56 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 166A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 68A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6240pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 138W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Power56 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile7.470
FDMS3006SDC ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 34A 8-PQFN Produttore: ON Semiconductor Serie: Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 34A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5725pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.3W (Ta), 89W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Dual Cool™56 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile3.472
FDMS3008SDC ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 29A 8-PQFN Produttore: ON Semiconductor Serie: Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 29A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4520pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.3W (Ta), 78W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Dual Cool™56 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile3.006
FDMS3016DC ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 18A 8-PQFN Produttore: ON Semiconductor Serie: Dual Cool™, PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), 49A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1385pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.3W (Ta), 60W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Dual Cool™56 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile2.610
FDMS3500 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 75V 9.2A POWER56 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.2A (Ta), 49A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4765pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Power Clip 56 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile23.118
FDMS3572 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 8.8A POWER56 Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.8A (Ta), 22A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2490pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 78W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MLP (5x6), Power56 Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile271.380
FDMS36101L-F085 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 38A 8-MLP Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 38A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3945pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 94W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Power56 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile3.852
FDMS3662 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 8.9A POWER56 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.9A (Ta), 49A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 8.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4620pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile6.066
FDMS3672 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 7.4A POWER56-8 Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.4A (Ta), 22A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2680pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 78W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MLP (5x6), Power56 Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile25.890
FDMS4435BZ ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 9A POWER56 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), 18A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2050pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 39W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile53.022
FDMS4D0N12C ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo PTNG 120V N-FET PQFN56 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 120V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18.5A (Ta), 114A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 67A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 370A Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6460pF @ 60V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.7W (Ta), 106W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile3.096
FDMS4D4N08C ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 123A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4090pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 125W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6), Power56 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile8.820
FDMS4D5N08LC ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo FET 80V 116A POWER56 Produttore: ON Semiconductor Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile8.244
FDMS5352 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 13.6A POWER56 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13.6A (Ta), 49A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 13.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6940pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile26.394
FDMS5360L-F085 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 60A POWER56 Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3695pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Power56 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile5.976
FDMS5361L-F085 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 35A POWER56 Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 16.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1980pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 75W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Power56 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile8.802
FDMS5362L-F085 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 17.6A POWER56 Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17.6A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 17.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 878pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 41.7W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Power56 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile3.526
FDMS5672 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 10.6A POWER56 Produttore: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10.6A (Ta), 22A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2800pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 78W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MLP (5x6), Power56 Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile22.830
FDMS6673BZ ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 15.2A POWER56 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15.2A (Ta), 28A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5915pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 73W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile52.638
FDMS6681Z ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 21.1A POWER56 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 21.1A (Ta), 49A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 22.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10380pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 73W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile389.214
FDMS7556S ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 35A POWER56 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench®, SyncFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta), 49A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8965pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile44.346
FDMS7558S ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 32A POWER56 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32A (Ta), 49A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7770pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 89W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile27.216
FDMS7560S ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 30A POWER56 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench®, SyncFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta), 49A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5945pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 89W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile3.472
FDMS7570S ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 28A POWER56 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench®, SyncFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 28A (Ta), 49A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4515pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile24.522
FDMS7572S ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 23A POWER56 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench®, SyncFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 23A (Ta), 49A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2780pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 46W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile44.052
FDMS7578 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 17A POWER56 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), 28A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1625pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 33W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile3.492
FDMS7580 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 15A POWER56 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), 29A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 13V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 27W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile7.308
FDMS7650 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V POWER56 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 36A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 36A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14965pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile135.006

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