Transistor

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
FDC642P-F085 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 4A 6SSOT Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile2.718
FDC642P-F085P ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo PMOS SSOT6 20V 65 MOHM Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TSOT-23-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile6.714
FDC642P_SB4N006 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH SSOT6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile6.858
FDC645N ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 5.5A SSOT-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1460pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile53.682
FDC645N_F095 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-SSOT Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1460pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile2.250
FDC653N ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 5A SSOT-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile4.716
FDC654P ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 3.6A SSOT-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 298pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile5.760
FDC655AN ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-SSOT Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile2.322
FDC655BN ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 6.3A SSOT-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile646.398
FDC655BN_NBNN007 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.3A Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 800mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile5.562
FDC658AP ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 4A SSOT6 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 5V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile322.866
FDC658P ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile3.798
FDC697P ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 8A 6-SSOP Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3524pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6 FLMP Pacchetto / Custodia: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP	Disponibile3.852
FDC697P_F077 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3524pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6 FLMP Pacchetto / Custodia: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP	Disponibile4.788
FDC699P ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 7A SSOT-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2640pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6 FLMP Pacchetto / Custodia: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP	Disponibile4.986
FDC699P_F077 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 7A 6-SSOT Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2640pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6 FLMP Pacchetto / Custodia: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP	Disponibile6.750
FDC796N ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 12.5A SSOT-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1444pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6 FLMP Pacchetto / Custodia: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP	Disponibile5.490
FDC796N_F077 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 12.5A 6-SSOT Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1444pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6 FLMP Pacchetto / Custodia: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP	Disponibile7.974
FDC855N ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 655pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile2.736
FDC8601 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V TRENCH SSOT-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile53.316
FDC86244 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 150V 2.3A 6SSOT Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 75V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile22.452
FDC8878 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 8A 6-SSOT Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), 8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile129.018
FDC8884 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-SSOT Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Ta), 8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 465pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile49.968
FDC8886 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-SSOT Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Ta), 8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 465pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile28.134
FDD044AN03L ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 35A D-PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 21A (Ta), 35A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5160pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 160W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252AA Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile8.784
FDD050N03B ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 90A DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2875pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 65W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D-PAK (TO-252AA) Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile2.808
FDD068AN03L ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 35A D-PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), 35A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2525pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 80W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252AA Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile5.886
FDD107AN06LA0 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 10.9A D-PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.4A (Ta), 10.9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 10.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252AA Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile5.472
FDD10AN06A0 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1840pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 135W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252AA Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile52.542
FDD10AN06A0-F085 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 11A D-PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1840pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 135W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252AA Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile6.462

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