Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
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Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
FDB6670AL ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2440pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 68W (Tc) Temperatura di esercizio: -65°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile2.610
FDB6670AS ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 62A TO-263AB Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 62A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 31A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 15V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 62.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile8.388
FDB6690S ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 42A TO-263AB Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench®, SyncFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 42A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1238pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 48W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile3.726
FDB7030BL ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 60A TO-263AB Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1760pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 60W (Tc) Temperatura di esercizio: -65°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile2.322
FDB7030L ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2440pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 68W (Tc) Temperatura di esercizio: -65°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile8.136
FDB7030L_L86Z ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 80A TO-263AB Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2440pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 68W (Tc) Temperatura di esercizio: -65°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile3.402
FDB8030L ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10500pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 187W (Tc) Temperatura di esercizio: -65°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile5.310
FDB8132 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350nC @ 13V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14100pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 341W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile2.970
FDB8132_F085 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350nC @ 13V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14100pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 341W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.678
FDB8160 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 11825pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 254W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile2.322
FDB8160-F085 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 11825pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 254W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile5.580
FDB8441 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 28A (Ta), 120A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 15000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile229.884
FDB8441-F085 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 28A (Ta), 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 15000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile2.700
FDB8442 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 28A (Ta), 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 254W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile4.320
FDB8442-F085 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 28A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12200pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 254W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile2.988
FDB8443 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 120A TO-263AB Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta), 120A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9310pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 188W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile7.650
FDB8443-F085 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 25A TO-263AB Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9310pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 188W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile7.074
FDB8444 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 70A TO-263AB Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8035pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 167W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile3.816
FDB8444-F085 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8035pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 167W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile2.034
FDB8444TS ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK-5 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), 70A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 70A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 338nC @ 20V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8410pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 181W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263-5 Pacchetto / Custodia: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB	Disponibile3.096
FDB8445 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3805pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 92W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile4.356
FDB8445-F085 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3805pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 92W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile7.002
FDB8447L ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 15A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2620pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 60W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile21.336
FDB8453LZ ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 16.1A TO-263AB Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16.1A (Ta), 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3545pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 66W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile7.902
FDB86102LZ ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.3A (Ta), 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1275pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile3.564
FDB86135 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7295pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.4W (Ta), 227W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile3.834
FDB86360-F085 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 110A TO263 Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 110A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 333W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile7.074
FDB86360_SN00307 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 110A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 333W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile5.274
FDB86363-F085 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 110A TO263 Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 110A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10000pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile17.160
FDB86366-F085 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 110A TO263 Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 110A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6280pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 176W (Tj) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile3.924

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