Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
DMT4002LPS-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 100A POWERDI5060 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116.1nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6771pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile4.518
DMT4003SCT Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 31V-40V TO220AB TU Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 205A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6865pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 156W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile2.682
DMT4004LPS-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHA 40V 26A POWERDI Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 26A (Ta), 90A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4508pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.6W (Ta), 138W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile22.338
DMT4005SCT Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET NCH 40V 100A TO220AB Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.1nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3062pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.3W (Ta), 104W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile5.346
DMT4008LFV-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12.1A (Ta), 54.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1179pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.9W (Ta), 35.7W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI3333-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile6.876
DMT4008LFV-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12.1A (Ta), 54.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1179pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.9W (Ta), 35.7W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI3333-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile2.898
DMT4008LSS-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 31V-40V SO-8 Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile7.650
DMT4011LFG-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1nC @ 10V Vgs (massimo): +20V, -16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 15.6W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI3333-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile8.118
DMT4011LFG-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1nC @ 10V Vgs (massimo): +20V, -16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 15.6W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI3333-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile2.232
DMT4011LSS-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 31V-40V SO-8 Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile2.718
DMT43M8LFV-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 87A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3213pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.25W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI3333-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile6.156
DMT43M8LFV-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 87A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3213pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.25W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI3333-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile3.418
DMT47M2SFVW-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333 Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile5.274
DMT47M2SFVW-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333 Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile7.020
DMT47M2SFVWQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333 Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile4.464
DMT47M2SFVWQ-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333 Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile7.920
DMT5015LFDF-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 902.7pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 820mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-UDFN2020 (2x2) Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad	Disponibile5.310
DMT5015LFDF-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 902.7pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 820mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-UDFN2020 (2x2) Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad	Disponibile48.666
DMT6002LPS-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.8nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6555pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile4.986
DMT6004LPS-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 22A Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), 90A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4515pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 105W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile53.130
DMT6004SCT Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.65mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4556pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.3W (Ta), 113W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile8.154
DMT6004SPS-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 23A POWERDI5060 Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 23A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4556pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile3.544
DMT6005LCT Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET NCH 60V 100A TO220AB Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2962pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.3W (Ta), 104W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile8.712
DMT6005LFG-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.7nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3150pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.98W (Ta), 62.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI3333-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile3.420
DMT6005LFG-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.7nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3150pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.98W (Ta), 62.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI3333-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile6.282
DMT6005LPS-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17.9A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2962pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.6W (Ta), 125W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile6.138
DMT6005LSS-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2962pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.3W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile23.976
DMT6006SPS-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506 Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile2.826
DMT6007LFG-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2090pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.2W (Ta), 62.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI3333-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile6.246
DMT6007LFG-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2090pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.2W (Ta), 62.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI3333-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile52.302

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