Transistor

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
DMP21D6UFD-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFETP-CHAN 20V X1-DFN1212-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 600mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 8V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: X1-DFN1212-3 Pacchetto / Custodia: 3-UDFN	Disponibile5.454
DMP2215L-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.7A SOT23-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.08W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile668.220
DMP2225L-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.08W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile2.592
DMP2240UW-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 16V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 250mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-323 Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323	Disponibile2.934
DMP2240UWQ-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 16V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 250mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-323 Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323	Disponibile4.914
DMP22D4UFA-7B Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 0.33A Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 330mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 28.7pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 3-DFN0806H4 Pacchetto / Custodia: 3-XFDFN	Disponibile92.964
DMP22D4UFO-7B Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 530MA X2DFN0604 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 530mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 28.7pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 820mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: X2-DFN0604-3 Pacchetto / Custodia: 3-XFDFN	Disponibile8.874
DMP22D6UT-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 0.43A SOT-523 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 430mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-523 Pacchetto / Custodia: SOT-523	Disponibile42.936
DMP22M2UPS-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V POWERDI5060-8 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 476nC @ 10V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12826pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.3W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile4.248
DMP2305U-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT-23 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 727pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.4W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile1.934.970
DMP2305UVT-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 4.23A TSOT26 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 727pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile7.740
DMP2540UCB9-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 25V 4A UWLB1515-9 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs (massimo): -6V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: U-WLB1515-9 Pacchetto / Custodia: 9-UFBGA, WLBGA	Disponibile3.096
DMP2541UCB9-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 25V 9UWLB Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V Vgs (massimo): -6V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 940mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 155°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: U-WLB1515-9 Pacchetto / Custodia: 9-UFBGA, WLBGA	Disponibile3.312
DMP25H18DLFDE-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 250V 0.26A DFN2020-6 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 260mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 10V Vgs (massimo): ±40V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 81pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 600mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 (Type E) Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad	Disponibile5.508
DMP25H18DLFDE-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 250V 0.26A DFN2020-6 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 260mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 10V Vgs (massimo): ±40V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 81pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 600mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 (Type E) Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad	Disponibile7.434
DMP26M7UFG-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156nC @ 10V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5940pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.3W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI3333-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile8.676
DMP26M7UFG-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156nC @ 10V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5940pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.3W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI3333-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile3.672
DMP3004SSS-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7693pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile6.894
DMP3007LK3-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 25V-30V TO252 Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile6.408
DMP3007LSS-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2. Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2826pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.4W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile6.894
DMP3007SCG-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 50A VDFN3333-8 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2826pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.4W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: V-DFN3333-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile5.940
DMP3007SCG-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 50A VDFN3333-8 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2826pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.4W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: V-DFN3333-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile2.610
DMP3007SCGQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 25V-30V V-DFN3333- Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile6.786
DMP3007SCGQ-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 25V-30V V-DFN3333- Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile2.340
DMP3007SFG-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 70A POWERDI3333 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2826pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI3333-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile4.176
DMP3007SFG-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 70A POWERDI3333 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2826pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI3333-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile22.728
DMP3007SPS-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 90A POWERDI5060 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2826pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.7W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile2.502
DMP3008SFG-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 8.6A POWERDI Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2230pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 900mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI3333-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile6.372
DMP3008SFG-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 8.6A POWERDI Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2230pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 900mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI3333-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile2.646
DMP3008SFGQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2230pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 900mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI3333-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile8.964

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