Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
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Record 64.903

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
DMN2450UFB4-7R Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006- Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 16V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: X2-DFN1006-3 Pacchetto / Custodia: 3-XFDFN	Disponibile2.070
DMN2450UFD-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFETN-CHAN 20V X1-DFN1212-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 900mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 52pF @ 16V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: X1-DFN1212-3 Pacchetto / Custodia: 3-UDFN	Disponibile8.802
DMN24H11DS-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 101V-250V SOT23 T& Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 240V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 270mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 300mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 76.8pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 750mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile8.550
DMN24H11DSQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 101V-250V SOT23 T& Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 240V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 270mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 300mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 76.8pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 750mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile2.988
DMN24H11DSQ-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 101V-250V SOT23 T& Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 240V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 270mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 300mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 76.8pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 750mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile3.564
DMN24H3D5L-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 240V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 480mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 300mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 188pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 760mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile6.768
DMN24H3D5L-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 240V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 480mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 300mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 188pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 760mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile375.498
DMN24H3D6S-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 101V-250V SOT23 Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile8.694
DMN24H3D6S-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 101V-250V SOT23 Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile6.714
DMN2500UFB4-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 0.81A 3DFN Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 810mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±6V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 460mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: X2-DFN1006-3 Pacchetto / Custodia: 3-XFDFN	Disponibile8.514
DMN2500UFB4-7B Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH SOT23 Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile4.680
DMN2501UFB4-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 82pF @ 16V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: X2-DFN1006-3 Pacchetto / Custodia: 3-XFDFN	Disponibile3.384
DMN2550UFA-7B Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 0.6A X2DFN-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 600mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.88nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 52.5pF @ 16V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 360mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: X2-DFN0806-3 Pacchetto / Custodia: 3-XFDFN	Disponibile3.600
DMN25D0UFA-7B Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 0.24A 3DFN Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 240mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36nC @ 4.5V Vgs (massimo): 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 280mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: X2-DFN0806-3 Pacchetto / Custodia: 3-XFDFN	Disponibile3.600
DMN2600UFB-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.85nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 70.13pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 540mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 3-DFN1006 (1.0x0.6) Pacchetto / Custodia: 3-UFDFN	Disponibile2.610
DMN26D0UFB4-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 230MA DFN Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 230mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14.1pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 350mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: X2-DFN1006-3 Pacchetto / Custodia: 3-XFDFN	Disponibile1.638.474
DMN26D0UT-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 230mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14.1pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-523 Pacchetto / Custodia: SOT-523	Disponibile308.148
DMN2990UFA-7B Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 0.51A Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 510mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6pF @ 16V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 3-X2-DFN0806 Pacchetto / Custodia: 3-XFDFN	Disponibile1.259.124
DMN2990UFB-7B Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006- Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 780mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250A Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.41nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 31pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 520mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: X1-DFN1006-3 Pacchetto / Custodia: 3-UFDFN	Disponibile3.546
DMN2990UFO-7B Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 750MA X2DFN0604 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 750mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.41nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 31pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 840mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: X2-DFN0604-3 Pacchetto / Custodia: 3-XFDFN	Disponibile3.598
DMN2990UFZ-7B Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V .25A X2-DFN0606 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 250mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 55.2pF @ 16V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 320mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: X2-DFN0606-3 Pacchetto / Custodia: 3-XFDFN	Disponibile697.782
DMN2991UFZ-7B Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0606- Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile7.776
DMN3005LK3-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.9nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4342pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.68W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252-3 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile5.706
DMN3007LSS-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2714pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile5.670
DMN3007LSSQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2714pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile6.948
DMN3008SCP10-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415 Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile3.474
DMN3008SFG-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3690pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 900mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI3333-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile7.974
DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3690pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 900mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI3333-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile7.902
DMN3008SFGQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17.6A (Ta), 62A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3690pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 900mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI3333-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile2.700
DMN3008SFGQ-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17.6A (Ta), 62A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3690pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 900mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI3333-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile5.022

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