Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

Pagina 1105/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
CSD18511Q5A Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo 40V N CH MOSFET Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 159A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 24A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5850pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 104W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-VSONP (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile3.942
CSD18511Q5AT Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo 40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 159A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 24A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5850pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 104W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-VSONP (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile24.126
CSD18512Q5B Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo 40V N CH MOSFET Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 211A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7120pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 139W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-VSON-CLIP (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile5.526
CSD18512Q5BT Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 211A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7120pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 139W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-VSON-CLIP (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile5.976
CSD18513Q5A Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo 40V N CH MOSFET Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 124A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4280pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 96W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-VSONP (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile7.758
CSD18513Q5AT Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo 40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 124A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4280pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 96W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-VSONP (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile16.440
CSD18514Q5A Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo 40V N CH MOSFET Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 89A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 20V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 74W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-VSONP (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile36.804
CSD18514Q5AT Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo 40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 89A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2683pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 74W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-VSONP (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile24.684
CSD18531Q5A Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 8SON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3840pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 156W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-VSONP (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile57.342
CSD18531Q5AT Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 100A 8SON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3840pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 156W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-VSONP (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile25.800
CSD18532KCS Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4680pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 250W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile18.648
CSD18532NQ5B Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 22A 8VSON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5340pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-VSON-CLIP (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile7.758
CSD18532NQ5BT Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 100A Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5340pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 156W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-VSON-CLIP (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile14.268
CSD18532Q5B Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 23A 8VSON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5070pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 156W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-VSONP (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile388.704
CSD18532Q5BT Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 23A 8VSON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5070pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 156W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-VSONP (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile23.574
CSD18533KCS Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 72A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3025pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 192W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile27.576
CSD18533Q5A Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 17A 8SON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2750pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 116W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-VSONP (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile79.520
CSD18533Q5AT Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 100A 8SON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2750pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 116W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-VSONP (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile29.484
CSD18534KCS Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 45A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 107W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile29.352
CSD18534Q5A Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 8SON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1770pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 77W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-VSONP (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile1.260.618
CSD18534Q5AT Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 60V 50A 8VSON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1770pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta), 77W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-VSONP (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile15.924
CSD18535KCS Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 200A TO-220-3 Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6620pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile17.052
CSD18535KTT Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 200A Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6620pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DDPAK/TO-263-3 Pacchetto / Custodia: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	Disponibile17.280
CSD18535KTTT Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 200A TO-263 Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200A (Ta), 279A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6620pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DDPAK/TO-263-3 Pacchetto / Custodia: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	Disponibile26.784
CSD18536KCS Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 200A TO-220-3 Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 11430pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 375W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile22.146
CSD18536KTT Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 11430pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 375W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DDPAK/TO-263-3 Pacchetto / Custodia: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	Disponibile1.640
CSD18536KTTT Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200A (Ta), 349A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 11430pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 375W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DDPAK/TO-263-3 Pacchetto / Custodia: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	Disponibile7.608
CSD18537NKCS Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3 Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1480pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 94W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile22.506
CSD18537NQ5A Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 50A 8SON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1480pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 75W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-VSONP (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile105.618
CSD18537NQ5AT Texas Instruments	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 50A 8SON Produttore: Serie: NexFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1480pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 75W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-VSONP (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile59.484

«
‹
1
...
1102
1103
1104
1105 (current)
1106
1107
1108
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistor

Risorse

Supporto

Social Media

Need Help?
Send Message