Transistor

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
BUK9608-55A,118 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92nC @ 5V Vgs (massimo): ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6021pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 253W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile28.986
BUK9608-55B,118 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 5V Vgs (massimo): ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5280pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 203W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile47.436
BUK9609-40B,118 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 5V Vgs (massimo): ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 157W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile28.620
BUK9609-55A,118 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Produttore: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 5V Vgs (massimo): ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4633pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 211W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile4.734
BUK9609-75A,118 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8840pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 230W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.156
BUK9610-100B,118 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86nC @ 5V Vgs (massimo): ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 11045pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile25.434
BUK9610-55A,118 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Produttore: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 5V Vgs (massimo): ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4307pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 200W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile8.028
BUK9611-55A,118 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Produttore: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4230pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 166W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile2.556
BUK9611-80E,118 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.8nC @ 5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7149pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 182W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile30.930
BUK9612-55B,118 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 5V Vgs (massimo): ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3693pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 157W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile102.786
BUK9614-55A,118 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 73A D2PAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 73A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3307pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 149W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile5.994
BUK9614-60E,118 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 56A D2PAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 56A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5nC @ 5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2651pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 96W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile47.766
BUK96150-55A,118 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 13A D2PAK Produttore: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 339pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 53W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile2.772
BUK9615-100A,118 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 230W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile8.154
BUK9615-100E,118 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 66A D2PAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 66A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6813pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 182W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.912
BUK9616-55A,118 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 66A D2PAK Produttore: NXP USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 66A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3085pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 138W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile3.402
BUK9616-75B,118 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 75V 67A D2PAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 67A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 5V Vgs (massimo): ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4034pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 157W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile33.894
BUK96180-100A,118 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 11A D2PAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 173mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 619pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 54W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile69.174
BUK9618-55A,118 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK Produttore: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 61A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 5V Vgs (massimo): ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2210pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 136W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile2.160
BUK961R4-30E,118 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK Produttore: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113nC @ 5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 16150pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 357W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile3.438
BUK961R5-30E,118 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK Produttore: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93.4nC @ 5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 14500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 324W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile2.016
BUK961R6-40E,118 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 16400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 357W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile31.938
BUK961R7-40E,118 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK Produttore: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105.4nC @ 5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 15010pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 324W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile4.266
BUK9620-100A,118 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 63A D2PAK Produttore: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 63A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6385pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 200W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile2.520
BUK9620-100B,118 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 63A D2PAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 63A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.4nC @ 5V Vgs (massimo): ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5657pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 203W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile101.004
BUK9620-55A,118 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 54A D2PAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 54A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2210pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 118W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile32.196
BUK9623-75A,118 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 75V 53A D2PAK Produttore: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 53A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3120pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 138W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile2.898
BUK9624-55A,118 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 46A D2PAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 46A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.7mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1815pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 105W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile36.576
BUK9628-100A,118 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 49A D2PAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 49A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4293pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 166W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile8.460
BUK9628-55A,118 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 42A D2PAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1725pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 99W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile31.692

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