Transistor

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
BUK7J1R0-40HX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo BUK7J1R0-40H/SOT1023/4 LEADS Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile2.718
BUK7J1R4-40HX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126nC @ 10V Vgs (massimo): +20V, -10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8155pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 395W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SOT-1023, 4-LFPAK	Disponibile2.772
BUK7L06-34ARC,127 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 34V 75A TO220AB Produttore: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 34V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4533pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 250W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile6.426
BUK7L11-34ARC,127 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 34V 75A TO220AB Produttore: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 34V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2506pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 172W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile7.434
BUK7M10-40EX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V MLFPAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 56A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1231pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 62W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK33 Pacchetto / Custodia: SOT-1210, 8-LFPAK33	Disponibile25.722
BUK7M11-40HX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo BUK7M11-40H/SOT1210/MLFPAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (massimo): +20V, -10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1022pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 50W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK33 Pacchetto / Custodia: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)	Disponibile2.016
BUK7M12-40EX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V MLFPAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 48A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 979pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 55W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK33 Pacchetto / Custodia: SOT-1210, 8-LFPAK33	Disponibile2.214
BUK7M12-60EX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK33 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 53A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1625pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 75W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK33 Pacchetto / Custodia: SOT-1210, 8-LFPAK33	Disponibile6.174
BUK7M15-40HX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo BUK7M15-40H/SOT1210/MLFPAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7nC @ 10V Vgs (massimo): +20V, -10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 801pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 44W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK33 Pacchetto / Custodia: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)	Disponibile3.672
BUK7M15-60EX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V MLFPAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 42.9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1262pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 62W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK33 Pacchetto / Custodia: SOT-1210, 8-LFPAK33	Disponibile6.696
BUK7M17-80EX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 43A LFPAK33 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 43A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2031pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 79W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK33 Pacchetto / Custodia: SOT-1210, 8-LFPAK33	Disponibile5.526
BUK7M19-60EX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V MLFPAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1055pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 55W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK33 Pacchetto / Custodia: SOT-1210, 8-LFPAK33	Disponibile14.262
BUK7M20-40HX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo BUK7M20-40H/SOT1210/MLFPAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 10V Vgs (massimo): +20V, -10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 598pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 38W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK33 Pacchetto / Custodia: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)	Disponibile5.958
BUK7M21-40EX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V MLFPAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 33A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 593pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 44W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK33 Pacchetto / Custodia: SOT-1210, 8-LFPAK33	Disponibile4.680
BUK7M22-80EX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V MLFPAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 37A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.9nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1643pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 75W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK33 Pacchetto / Custodia: SOT-1210, 8-LFPAK33	Disponibile8.784
BUK7M27-80EX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V MLFPAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1306pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 62W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK33 Pacchetto / Custodia: SOT-1210, 8-LFPAK33	Disponibile8.478
BUK7M33-60EX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 24A LFPAK33 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 628pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 44W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK33 Pacchetto / Custodia: SOT-1210, 8-LFPAK33	Disponibile3.654
BUK7M3R3-40HX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo BUK7M3R3-40H/SOT1210/MLFPAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (massimo): +20V, -10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3037pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 101W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK33 Pacchetto / Custodia: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)	Disponibile7.884
BUK7M42-60EX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V MLFPAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 508pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 36W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK33 Pacchetto / Custodia: SOT-1210, 8-LFPAK33	Disponibile12.054
BUK7M45-40EX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V MLFPAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 317pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 31W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK33 Pacchetto / Custodia: SOT-1210, 8-LFPAK33	Disponibile7.326
BUK7M67-60EX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V MLFPAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 334pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 31W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK33 Pacchetto / Custodia: SOT-1210, 8-LFPAK33	Disponibile12.876
BUK7M6R3-40EX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK33 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.1nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1912pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 79W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK33 Pacchetto / Custodia: SOT-1210, 8-LFPAK33	Disponibile12.702
BUK7M8R0-40EX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V MLFPAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 69A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1567pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 75W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK33 Pacchetto / Custodia: SOT-1210, 8-LFPAK33	Disponibile12.330
BUK7M9R9-60EX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V MLFPAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2007pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 79W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK33 Pacchetto / Custodia: SOT-1210, 8-LFPAK33	Disponibile4.086
BUK7S0R7-40HJ Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo BUK7S0R7-40H/SOT1235/LFPAK88 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 425A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202nC @ 10V Vgs (massimo): +20V, -10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 15719pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 375W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK88 (SOT1235) Pacchetto / Custodia: SOT-1235	Disponibile7.938
BUK7S0R9-40HJ Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo BUK7S0R9-40H/SOT1235/LFPAK88 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 375A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166nC @ 32V Vgs (massimo): +20V, -10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12888pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 375W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK88 (SOT1235) Pacchetto / Custodia: SOT-1235	Disponibile6.030
BUK7S1R0-40HJ Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo BUK7S1R0-40H/SOT1235/LFPAK88 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 325A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137nC @ 10V Vgs (massimo): +20V, -10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10322pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 375W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK88 (SOT1235) Pacchetto / Custodia: SOT-1235	Disponibile3.384
BUK7Y07-30B,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 75A LFPAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1773pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 105W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669	Disponibile3.852
BUK7Y08-40B,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2040pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 105W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669	Disponibile16.944
BUK7Y08-40B/C,115 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK Produttore: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2040pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 105W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669	Disponibile5.922

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