Transistor

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
BSS123 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 73pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 360mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile3.094.314
BSS123,215 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 150MA SOT-23 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 150mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 250mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile1.649.328
BSS123-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile4.554
BSS123-7-F Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile1.281.846
BSS123ATA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 360mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile7.020
BSS123ATC Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 360mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile3.510
BSS123_D87Z ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 73pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 360mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile4.374
BSS123E6327 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 Produttore: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 69pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 360mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile4.212
BSS123 E6433 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 Produttore: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 69pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 360mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile8.388
BSS123K-TP Micro Commercial Co	Transistor - FET, MOSFET - Singolo N-CHANNEL MOSFETSOT-23 Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 170mA Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile262.320
BSS123L ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT-23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 360mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile1.185.024
BSS123L6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 Produttore: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 69pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 360mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile3.798
BSS123L6433HTMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 Produttore: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 69pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 360mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile3.400
BSS123L7874XT Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 Produttore: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 69pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 360mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile4.518
BSS123/LF1R Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 150mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 250mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile8.460
BSS123LT1 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 225mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile8.964
BSS123LT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 225mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile1.422.978
BSS123LT3 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 225mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile7.434
BSS123LT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 225mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile8.316
BSS123LT7G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo NFET SOT23 100V 170MA 6.0 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile2.556
BSS123NH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 190mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile606.204
BSS123NH6433XTMA1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23 Produttore: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 190mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile201.918
BSS123TA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 360mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile839.688
BSS123TC Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 360mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile2.124
BSS123-TP Micro Commercial Co	Transistor - FET, MOSFET - Singolo N-CHANNELMOSFETSOT-23 Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 170mA Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile256.818
BSS123W ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT-323 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 71pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 200mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70 (SOT323) Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323	Disponibile289.332
BSS123W-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 170MA SC70-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 200mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-323 Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323	Disponibile4.410
BSS123W-7-F Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 170MA SC70-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 200mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-323 Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323	Disponibile281.790
BSS123WQ-7-F Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT323 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 200mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-323 Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323	Disponibile755.286
BSS126 E6327 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23 Produttore: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 21mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 8µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 28pF @ 25V Funzione FET: Depletion Mode Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile5.688

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