Circuiti integrati di memoria

Numero parte	Descrizione	Disponibile
IS62WV5128EALL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 2.2V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP I (8x18.4)	Disponibile8.874
IS62WV5128EBLL-45BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 36-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 36-TFBGA (6x8)	Disponibile10.128
IS62WV5128EBLL-45BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 36-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 36-TFBGA (6x8)	Disponibile3.042
IS62WV5128EBLL-45HLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP I Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP I	Disponibile53.034
IS62WV5128EBLL-45HLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP I	Disponibile2.628
IS62WV5128EBLL-45T2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II	Disponibile8.676
IS62WV5128EBLL-45T2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II	Disponibile2.898
IS62WV5128EBLL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP I (8x18.4)	Disponibile6.192
IS62WV5128EBLL-45TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP I (8x18.4)	Disponibile5.868
IS62WV6416ALL-55BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 1M PARALLEL 48MINIBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 2.2V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-miniBGA (6x8)	Disponibile6.714
IS62WV6416ALL-55BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 1M PARALLEL 48MINIBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 2.2V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-miniBGA (6x8)	Disponibile6.858
IS62WV6416ALL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 1M PARALLEL 48BGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 2.2V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-miniBGA (6x8)	Disponibile7.326
IS62WV6416ALL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 1M PARALLEL 48BGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 2.2V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-miniBGA (6x8)	Disponibile2.322
IS62WV6416BLL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 1M PARALLEL 48MINIBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-miniBGA (6x8)	Disponibile3.816
IS62WV6416BLL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 1M PARALLEL 48MINIBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-miniBGA (6x8)	Disponibile5.616
IS62WV6416BLL-55TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile2.394
IS62WV6416BLL-55TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile2.754
IS62WV6416BLL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile16.997
IS62WV6416BLL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns Tempo di accesso: 55ns Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile8.280
IS62WV6416DBLL-45B2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 1M PARALLEL 48TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-miniBGA (6x8)	Disponibile4.446
IS62WV6416DBLL-45B2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 1M PARALLEL 48TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-miniBGA (6x8)	Disponibile7.614
IS62WV6416DBLL-45BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 1M PARALLEL 48TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-miniBGA (6x8)	Disponibile4.122
IS62WV6416DBLL-45BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 1M PARALLEL 48TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 48-miniBGA (6x8)	Disponibile3.672
IS62WV6416DBLL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile2.592
IS62WV6416DBLL-45TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns Tempo di accesso: 45ns Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile4.086
IS62WVS0648FBLL-20NLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 512K SPI 20MHZ 8SOIC Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8) Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O, SDI, DTR Frequenza di clock: 20MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile7.416
IS62WVS0648FBLL-20NLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 512K SPI 20MHZ 8SOIC Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8) Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O, SDI, DTR Frequenza di clock: 20MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile2.574
IS62WVS1288FBLL-20NLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8SOIC Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8) Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O, SDI, DTR Frequenza di clock: 20MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile3.150
IS62WVS1288FBLL-20NLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8SOIC Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8) Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O, SDI, DTR Frequenza di clock: 20MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile5.202
IS62WVS2568FBLL-20NLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 2M SPI 20MHZ 8SOIC Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8) Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O, SDI, DTR Frequenza di clock: 20MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile3.366

IS62WV5128EALL-55TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 2.2V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP I (8x18.4)

Disponibile8.874

IS62WV5128EBLL-45BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 36-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 36-TFBGA (6x8)

Disponibile10.128

IS62WV5128EBLL-45BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 36-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 36-TFBGA (6x8)

Disponibile3.042

IS62WV5128EBLL-45HLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP I

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP I

Disponibile53.034

IS62WV5128EBLL-45HLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP I

Disponibile2.628

IS62WV5128EBLL-45T2LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II

Disponibile8.676

IS62WV5128EBLL-45T2LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II

Disponibile2.898

IS62WV5128EBLL-45TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP I (8x18.4)

Disponibile6.192

IS62WV5128EBLL-45TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP I (8x18.4)

Disponibile5.868

IS62WV6416ALL-55BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 48MINIBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 2.2V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-miniBGA (6x8)

Disponibile6.714

IS62WV6416ALL-55BI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 48MINIBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 2.2V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-miniBGA (6x8)

Disponibile6.858

IS62WV6416ALL-55BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 48BGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 2.2V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-miniBGA (6x8)

Disponibile7.326

IS62WV6416ALL-55BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 48BGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 2.2V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-miniBGA (6x8)

Disponibile2.322

IS62WV6416BLL-55BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 48MINIBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-miniBGA (6x8)

Disponibile3.816

IS62WV6416BLL-55BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 48MINIBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-miniBGA (6x8)

Disponibile5.616

IS62WV6416BLL-55TI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile2.394

IS62WV6416BLL-55TI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile2.754

IS62WV6416BLL-55TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile16.997

IS62WV6416BLL-55TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
Tempo di accesso: 55ns
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile8.280

IS62WV6416DBLL-45B2LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 48TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-miniBGA (6x8)

Disponibile4.446

IS62WV6416DBLL-45B2LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 48TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-miniBGA (6x8)

Disponibile7.614

IS62WV6416DBLL-45BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 48TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-miniBGA (6x8)

Disponibile4.122

IS62WV6416DBLL-45BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 48TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 48-miniBGA (6x8)

Disponibile3.672

IS62WV6416DBLL-45TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile2.592

IS62WV6416DBLL-45TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
Tempo di accesso: 45ns
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile4.086

IS62WVS0648FBLL-20NLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 512K SPI 20MHZ 8SOIC

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8)
Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O, SDI, DTR
Frequenza di clock: 20MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC

Disponibile7.416

IS62WVS0648FBLL-20NLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 512K SPI 20MHZ 8SOIC

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8)
Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O, SDI, DTR
Frequenza di clock: 20MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC

Disponibile2.574

IS62WVS1288FBLL-20NLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8SOIC

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O, SDI, DTR
Frequenza di clock: 20MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC

Disponibile3.150

IS62WVS1288FBLL-20NLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8SOIC

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O, SDI, DTR
Frequenza di clock: 20MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC

Disponibile5.202

IS62WVS2568FBLL-20NLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 2M SPI 20MHZ 8SOIC

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O, SDI, DTR
Frequenza di clock: 20MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC

Disponibile3.366

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