Circuiti integrati di memoria

Numero parte	Descrizione	Disponibile
IS61VPS204836B-250TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 72M PARALLEL 100LQFP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 72Mb (2M x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 250MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 2.8ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-LQFP (14x20)	Disponibile3.528
IS61VPS204836B-250TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 72M PARALLEL 100LQFP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 72Mb (2M x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 250MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 2.8ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-LQFP (14x20)	Disponibile3.526
IS61VPS25618A-200B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 4.5M PARALLEL 165TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 4.5Mb (256K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.1ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)	Disponibile4.212
IS61VPS25618A-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 4.5M PARALLEL 165TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 4.5Mb (256K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.1ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)	Disponibile8.514
IS61VPS25636A-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.1ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile3.618
IS61VPS25636A-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.1ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile4.500
IS61VPS51236A-200B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.1ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)	Disponibile8.928
IS61VPS51236A-200B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.1ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)	Disponibile5.094
IS61VPS51236A-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.1ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)	Disponibile5.058
IS61VPS51236A-200B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.1ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)	Disponibile7.272
IS61VPS51236A-200TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.1ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile6.408
IS61VPS51236A-200TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.1ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile2.754
IS61VPS51236A-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.1ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile7.470
IS61VPS51236A-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.1ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile7.434
IS61VPS51236A-250B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 250MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 2.6ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-FBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-PBGA (13x15)	Disponibile7.326
IS61VPS51236A-250B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 250MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 2.6ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)	Disponibile7.812
IS61VPS51236A-250B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 250MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 2.6ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)	Disponibile2.592
IS61VPS51236A-250B3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 250MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 2.6ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)	Disponibile3.942
IS61VPS51236A-250B3L-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 250MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 2.6ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)	Disponibile3.114
IS61VPS51236A-250B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 250MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 2.6ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-FBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-PBGA (13x15)	Disponibile2.160
IS61VPS51236B-200B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)	Disponibile565
IS61VPS51236B-200B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)	Disponibile4.806
IS61VPS51236B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-LQFP (14x20)	Disponibile3.544
IS61VPS51236B-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-LQFP (14x20)	Disponibile3.834
IS61VPS51236B-250B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 250MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 2.6ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)	Disponibile3.508
IS61VPS51236B-250B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 250MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 2.6ns Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)	Disponibile3.996
IS61VVF409618B-7.5TQL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 72M PARALLEL 100LQFP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 117MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 7.5ns Tensione - Alimentazione: 1.71V ~ 1.89V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-LQFP (14x20)	Disponibile3.276
IS61VVF409618B-7.5TQL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 72M PARALLEL 100LQFP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 117MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 7.5ns Tensione - Alimentazione: 1.71V ~ 1.89V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-LQFP (14x20)	Disponibile5.958
IS61VVPS204818B-166B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 36M PARALLEL 165TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 36Mb (2M x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.8ns Tensione - Alimentazione: 1.71V ~ 1.89V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)	Disponibile6.588
IS61VVPS204818B-166B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 36M PARALLEL 165TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 36Mb (2M x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.8ns Tensione - Alimentazione: 1.71V ~ 1.89V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)	Disponibile6.966

IS61VPS204836B-250TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 100LQFP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 72Mb (2M x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 250MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 2.8ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-LQFP (14x20)

Disponibile3.528

IS61VPS204836B-250TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 100LQFP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 72Mb (2M x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 250MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 2.8ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-LQFP (14x20)

Disponibile3.526

IS61VPS25618A-200B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 4.5Mb (256K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.1ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)

Disponibile4.212

IS61VPS25618A-200B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 4.5Mb (256K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.1ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)

Disponibile8.514

IS61VPS25636A-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.1ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile3.618

IS61VPS25636A-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.1ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile4.500

IS61VPS51236A-200B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.1ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)

Disponibile8.928

IS61VPS51236A-200B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.1ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)

Disponibile5.094

IS61VPS51236A-200B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.1ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)

Disponibile5.058

IS61VPS51236A-200B3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.1ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)

Disponibile7.272

IS61VPS51236A-200TQI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.1ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile6.408

IS61VPS51236A-200TQI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.1ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile2.754

IS61VPS51236A-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.1ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile7.470

IS61VPS51236A-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.1ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile7.434

IS61VPS51236A-250B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 250MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 2.6ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-FBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-PBGA (13x15)

Disponibile7.326

IS61VPS51236A-250B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 250MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 2.6ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)

Disponibile7.812

IS61VPS51236A-250B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 250MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 2.6ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)

Disponibile2.592

IS61VPS51236A-250B3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 250MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 2.6ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)

Disponibile3.942

IS61VPS51236A-250B3L-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 250MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 2.6ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)

Disponibile3.114

IS61VPS51236A-250B3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 250MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 2.6ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-FBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-PBGA (13x15)

Disponibile2.160

IS61VPS51236B-200B3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)

Disponibile565

IS61VPS51236B-200B3LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)

Disponibile4.806

IS61VPS51236B-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-LQFP (14x20)

Disponibile3.544

IS61VPS51236B-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-LQFP (14x20)

Disponibile3.834

IS61VPS51236B-250B3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 250MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 2.6ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)

Disponibile3.508

IS61VPS51236B-250B3LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 250MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 2.6ns
Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)

Disponibile3.996

IS61VVF409618B-7.5TQL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 100LQFP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 117MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 7.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.71V ~ 1.89V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-LQFP (14x20)

Disponibile3.276

IS61VVF409618B-7.5TQL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 100LQFP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 117MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 7.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.71V ~ 1.89V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-LQFP (14x20)

Disponibile5.958

IS61VVPS204818B-166B3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 36M PARALLEL 165TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 36Mb (2M x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.8ns
Tensione - Alimentazione: 1.71V ~ 1.89V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)

Disponibile6.588

IS61VVPS204818B-166B3LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 36M PARALLEL 165TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 36Mb (2M x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.8ns
Tensione - Alimentazione: 1.71V ~ 1.89V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)

Disponibile6.966

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