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Circuiti integrati di memoria

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Disponibile
Quantità
71V016SA20PHG
71V016SA20PHG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 20ns
  • Tempo di accesso: 20ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II
Disponibile4.842
71V016SA20PHG8
71V016SA20PHG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 20ns
  • Tempo di accesso: 20ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II
Disponibile5.148
71V016SA20PHGI
71V016SA20PHGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 20ns
  • Tempo di accesso: 20ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II
Disponibile7.938
71V016SA20PHGI8
71V016SA20PHGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 20ns
  • Tempo di accesso: 20ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II
Disponibile5.022
71V016SA20YG
71V016SA20YG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 20ns
  • Tempo di accesso: 20ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 44-SOJ
Disponibile6.552
71V016SA20YG8
71V016SA20YG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 20ns
  • Tempo di accesso: 20ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 44-SOJ
Disponibile7.920
71V016SA20YGI
71V016SA20YGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 20ns
  • Tempo di accesso: 20ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 44-SOJ
Disponibile7.758
71V016SA20YGI8
71V016SA20YGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 20ns
  • Tempo di accesso: 20ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 44-SOJ
Disponibile3.186
71V124SA10PHG
71V124SA10PHG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
  • Tempo di accesso: 10ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II
Disponibile7.722
71V124SA10PHG8
71V124SA10PHG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
  • Tempo di accesso: 10ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II
Disponibile14.148
71V124SA10PHGI
71V124SA10PHGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
  • Tempo di accesso: 10ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II
Disponibile5.040
71V124SA10PHGI8
71V124SA10PHGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
  • Tempo di accesso: 10ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II
Disponibile3.942
71V124SA10TYG
71V124SA10TYG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
  • Tempo di accesso: 10ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOJ
Disponibile8.316
71V124SA10TYG8
71V124SA10TYG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
  • Tempo di accesso: 10ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOJ
Disponibile7.902
71V124SA10YG
71V124SA10YG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
  • Tempo di accesso: 10ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOJ
Disponibile4.446
71V124SA10YG8
71V124SA10YG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
  • Tempo di accesso: 10ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOJ
Disponibile4.752
71V124SA12PHG
71V124SA12PHG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II
Disponibile7.884
71V124SA12PHG8
71V124SA12PHG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II
Disponibile5.562
71V124SA12PHGI
71V124SA12PHGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II
Disponibile8.892
71V124SA12PHGI8
71V124SA12PHGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II
Disponibile8.316
71V124SA12TYG
71V124SA12TYG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOJ
Disponibile8.352
71V124SA12TYG8
71V124SA12TYG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOJ
Disponibile6.768
71V124SA12TYGI
71V124SA12TYGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOJ
Disponibile5.706
71V124SA12TYGI8
71V124SA12TYGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOJ
Disponibile5.994
71V124SA12YG
71V124SA12YG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOJ
Disponibile13.992
71V124SA12YG8
71V124SA12YG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOJ
Disponibile8.316
71V124SA12YGI
71V124SA12YGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOJ
Disponibile5.148
71V124SA12YGI8
71V124SA12YGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOJ
Disponibile3.490
71V124SA15PHG
71V124SA15PHG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 15ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II
Disponibile4.428
71V124SA15PHG8
71V124SA15PHG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 15ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP II
Disponibile6.930