Circuiti integrati di memoria

S29GL512S10TFI023

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 100ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 56-TSOP

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S29GL512S11DHA010

Cypress Semiconductor

Memoria

IC 512 MB FLASH MEMORY

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: Automotive, AEC-Q100, GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 110ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)

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S29GL512S11DHA013

Cypress Semiconductor

Memoria

IC 512M FLASH MEMORY

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: Automotive, AEC-Q100, GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 110ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)

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S29GL512S11DHA020

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: Automotive, AEC-Q100, GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 110ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)

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S29GL512S11DHA023

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: Automotive, AEC-Q100, GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 110ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)

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S29GL512S11DHAV10

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 110ns
• Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)

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S29GL512S11DHAV23

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 110ns
• Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)

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S29GL512S11DHB010

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: Automotive, AEC-Q100, GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 110ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)

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S29GL512S11DHB013

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: Automotive, AEC-Q100, GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 110ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)

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S29GL512S11DHB020

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 110ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)

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S29GL512S11DHB023

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 110ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)

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S29GL512S11DHI010

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 110ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)

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S29GL512S11DHI020

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 110ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)

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S29GL512S11DHI023

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 110ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)

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S29GL512S11DHIV10

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 110ns
• Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)

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S29GL512S11DHIV13

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 110ns
• Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)

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S29GL512S11DHIV20

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 110ns
• Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)

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S29GL512S11DHIV23

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 110ns
• Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)

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S29GL512S11DHSS10

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 110ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)

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S29GL512S11DHSS20

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 110ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)

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S29GL512S11DHV010

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 110ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)

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S29GL512S11DHV013

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 110ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)

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S29GL512S11DHV020

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 110ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)

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S29GL512S11DHV023

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 110ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)

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S29GL512S11FAIV10

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 110ns
• Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-Fortified BGA (13x11)

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S29GL512S11FAIV13

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 110ns
• Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-Fortified BGA (13x11)

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S29GL512S11FAIV20

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 110ns
• Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-Fortified BGA (13x11)

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S29GL512S11FAIV23

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 110ns
• Tensione - Alimentazione: 1.65V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-Fortified BGA (13x11)

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S29GL512S11FHB020

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 110ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-Fortified BGA (13x11)

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S29GL512S11FHB023

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 110ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-Fortified BGA (13x11)

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