Circuiti integrati di memoria

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MT53E384M32D2DS-046 AAT:E TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM LPDDR4 FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria: 12Gb (384M x 32) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 2.133GHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 0.6V, 1.1V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile8.514
MT53E384M32D2DS-046 AIT:E Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM LPDDR4 FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria: 12Gb (384M x 32) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 2.133GHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 0.6V, 1.1V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.218
MT53E384M32D2DS-046 AIT:E TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM LPDDR4 FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria: 12Gb (384M x 32) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 2.133GHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 0.6V, 1.1V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile5.058
MT53E384M32D2DS-046 AUT:E Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM LPDDR4 FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria: 12Gb (384M x 32) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 2.133GHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 0.6V, 1.1V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile6.876
MT53E384M32D2DS-046 AUT:E TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM LPDDR4 FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria: 12Gb (384M x 32) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 2.133GHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 0.6V, 1.1V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.380
MT53E384M32D2DS-046 WT:E Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM LPDDR4 FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria: 12Gb (384M x 32) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 2.133GHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 0.6V, 1.1V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile5.724
MT53E384M32D2DS-046 WT:E TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM LPDDR4 FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria: 12Gb (384M x 32) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 2.133GHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 0.6V, 1.1V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile5.634
MT53E384M32D2DS-053 AAT:E Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM LPDDR4 FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria: 12Gb (384M x 32) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 1.866GHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 0.6V, 1.1V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile6.642
MT53E384M32D2DS-053 AAT:E TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM LPDDR4 FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria: 12Gb (384M x 32) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 1.866GHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 0.6V, 1.1V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.380
MT53E384M32D2DS-053 AIT:E Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM LPDDR4 FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria: 12Gb (384M x 32) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 1.866GHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 0.6V, 1.1V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.438
MT53E384M32D2DS-053 AIT:E TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM LPDDR4 FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria: 12Gb (384M x 32) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 1.866GHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 0.6V, 1.1V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile2.772
MT53E384M32D2DS-053 AUT:E Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM LPDDR4 FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria: 12Gb (384M x 32) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 1.866GHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 0.6V, 1.1V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile4.968
MT53E384M32D2DS-053 AUT:E TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM LPDDR4 FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria: 12Gb (384M x 32) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 1.866GHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 0.6V, 1.1V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile8.424
MT53E384M32D2DS-053 WT:E Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM LPDDR4 FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria: 12Gb (384M x 32) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 1.866GHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 0.6V, 1.1V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile4.608
MT53E384M32D2DS-053 WT:E TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM LPDDR4 FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria: 12Gb (384M x 32) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 1.866GHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 0.6V, 1.1V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile8.964
MT53E512M32D2NP-046 Micron Technology Inc.	Memoria LPDDR4 16G 512MX32 FBGA WT DDP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: * Tipo di memoria: - Formato memoria: - Tecnologia: - Dimensione della memoria: - Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile5.778
MT53E512M32D2NP-046 TR Micron Technology Inc.	Memoria LPDDR4 16G 512MX32 FBGA WT DDP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: * Tipo di memoria: - Formato memoria: - Tecnologia: - Dimensione della memoria: - Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile6.840
MT53E512M32D2NP-046 WT:E Micron Technology Inc.	Memoria LPDDR4 16G 512MX32 FBGA WT DDP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: * Tipo di memoria: - Formato memoria: - Tecnologia: - Dimensione della memoria: - Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile354
MT53E512M32D2NP-046 WT:E TR Micron Technology Inc.	Memoria LPDDR4 16G 512MX32 FBGA WT DDP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: * Tipo di memoria: - Formato memoria: - Tecnologia: - Dimensione della memoria: - Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile4.086
MT53E512M64D4NK-046 WT:D Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM LPDDR4 BGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: - Formato memoria: - Tecnologia: - Dimensione della memoria: - Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile585
MT53E512M64D4NK-046 WT:D TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM LPDDR4 BGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: - Formato memoria: - Tecnologia: - Dimensione della memoria: - Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile8.640
MT53E512M64D4NK-053 WT:D Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM LPDDR4 FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: - Formato memoria: - Tecnologia: - Dimensione della memoria: - Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.336
MT53E512M64D4NK-053 WT:D TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM LPDDR4 FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: - Formato memoria: - Tecnologia: - Dimensione della memoria: - Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.830
MT53E512M64D4NW-046 WT:E Micron Technology Inc.	Memoria LPDDR4 32G 512MX64 FBGA WT QDP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: * Tipo di memoria: - Formato memoria: - Tecnologia: - Dimensione della memoria: - Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile8.100
MT53E512M64D4NW-046 WT:E TR Micron Technology Inc.	Memoria LPDDR4 32G 512MX64 FBGA WT QDP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: * Tipo di memoria: - Formato memoria: - Tecnologia: - Dimensione della memoria: - Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile2.556
MT53E512M64D4NW-053 WT:E Micron Technology Inc.	Memoria LPDDR4 32G 512MX64 FBGA WT QDP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: * Tipo di memoria: - Formato memoria: - Tecnologia: - Dimensione della memoria: - Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile5.958
MT53E512M64D4NW-053 WT:E TR Micron Technology Inc.	Memoria LPDDR4 32G 512MX64 FBGA WT QDP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: * Tipo di memoria: - Formato memoria: - Tecnologia: - Dimensione della memoria: - Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.150
MT53E768M32D4DT-046 AAT:E Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM LPDDR4 FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria: 24Gb (768M x 32) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 2.133GHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 0.6V, 1.1V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.974
MT53E768M32D4DT-046 AAT:E TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM LPDDR4 FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria: 24Gb (768M x 32) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 2.133GHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 0.6V, 1.1V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile5.472
MT53E768M32D4DT-046 AIT:E Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM LPDDR4 FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria: 24Gb (768M x 32) Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: 2.133GHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 0.6V, 1.1V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile5.380

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