Memoria
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CategoriaSemiconduttori / Circuiti integrati di memoria / Memoria
Record 46.590
Pagina 1493/1553
Immagine |
Numero parte |
Produttore |
Descrizione |
Disponibile |
Quantità |
Serie | Tipo di memoria | Formato memoria | Tecnologia | Dimensione della memoria | Interfaccia di memoria | Frequenza di clock | Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | Tempo di accesso | Tensione - Alimentazione | Temperatura di esercizio | Tipo di montaggio | Pacchetto / Custodia | Pacchetto dispositivo fornitore |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Micron Technology Inc. |
IC FLASH 64G MMC |
5.814 |
|
e•MMC™ | Non-Volatile | FLASH | FLASH - NAND | 64Gb (8G x 8) | MMC | - | - | - | - | -40°C ~ 85°C (TA) | Surface Mount | 100-TBGA | 100-TBGA (14x18) |
|
|
|
Micron Technology Inc. |
LPDDR2 1G DIE 32MX32 |
7.596 |
|
* | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
|
Micron Technology Inc. |
LPDDR3 4G DIE 128MX32 |
2.178 |
|
* | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
|
Micron Technology Inc. |
LPDDR3 4G DIE 128MX32 |
6.354 |
|
* | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
|
Micron Technology Inc. |
LPDDR3 6G DIE 192MX32 |
5.652 |
|
* | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
|
Micron Technology Inc. |
LPDDR3 6G DIE 192MX32 |
6.894 |
|
* | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
|
Micron Technology Inc. |
LPDDR3 6G DIE 192MX32 |
2.286 |
|
* | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
|
Micron Technology Inc. |
LPDDR3 6G DIE 192MX32 |
7.776 |
|
* | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
|
Micron Technology Inc. |
IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA |
6.102 |
|
- | Volatile | DRAM | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 8Gb (128M x 64) | Parallel | 800MHz | - | - | 1.14V ~ 1.95V | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | - |
|
|
|
Micron Technology Inc. |
IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA |
3.436 |
|
- | Volatile | DRAM | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 8Gb (128M x 64) | Parallel | 800MHz | - | - | 1.14V ~ 1.95V | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | - |
|
|
|
Micron Technology Inc. |
SLC 128M DIE 32MX4 |
4.410 |
|
* | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
|
Micron Technology Inc. |
MLC 128G DIE 16GX8 |
6.084 |
|
* | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
|
Micron Technology Inc. |
IC FLASH 128G PARALLEL DIE |
6.822 |
|
- | Non-Volatile | FLASH | FLASH - NAND | 128Gb (16G x 8) | Parallel | - | - | - | 2.7V ~ 3.6V | 0°C ~ 70°C (TA) | - | - | - |
|
|
|
Micron Technology Inc. |
TLC 128G DIE 16GX8 |
8.946 |
|
* | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
|
Micron Technology Inc. |
TLC 128G DIE 16GX8 |
7.398 |
|
* | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
|
Micron Technology Inc. |
TLC 256G DIE 32GX8 |
2.628 |
|
* | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
|
Micron Technology Inc. |
TLC 256G DIE 32GX8 |
6.948 |
|
* | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
|
Micron Technology Inc. |
TLC 256G DIE 32GX8 |
6.318 |
|
* | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
|
Micron Technology Inc. |
TLC 256G DIE 32GX8 |
8.568 |
|
* | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
|
Micron Technology Inc. |
TLC 256G DIE 32GX8 |
4.464 |
|
* | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
|
Micron Technology Inc. |
TLC 256G DIE 32GX8 |
4.824 |
|
* | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
|
Micron Technology Inc. |
SLC 2G DIE 2GX1 |
8.190 |
|
* | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
|
Micron Technology Inc. |
SLC 4G DIE 512MX8 |
7.074 |
|
* | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
|
Micron Technology Inc. |
SLC 4G DIE 256MX16 |
5.868 |
|
* | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
|
Micron Technology Inc. |
SLC 64G DIE 8GX8 |
5.508 |
|
* | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
|
Micron Technology Inc. |
DDR4 4G DIE 256MX16 |
5.868 |
|
* | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
|
Micron Technology Inc. |
DDR4 4G DIE 512MX8 |
6.858 |
|
* | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
|
Micron Technology Inc. |
DDR3 4G DIE 256MX16 |
5.184 |
|
* | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
|
Micron Technology Inc. |
DDR3 8G DIE 512MX16 |
4.986 |
|
* | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
|
Micron Technology Inc. |
IC DRAM 4G PARALLEL |
8.838 |
|
- | Volatile | DRAM | SDRAM - DDR3L | 4Gb (512M x 8) | Parallel | - | - | - | 1.283V ~ 1.45V | 0°C ~ 95°C (TC) | - | - | - |