Diodi e raddrizzatori

HSMS-286Y-BLKG

Broadcom

Diodi - RF

RF DIODE SCHOTTKY 4V SOD323

• Produttore: Broadcom Limited
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - Single
• Tensione - Picco inverso (Max): 4V
• Corrente - Max: -
• Capacità @ Vr, F: 0.3pF @ 0V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: -
• Dissipazione di potenza (max): -
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: SC-79, SOD-523
• Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-323

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HSMS-286Y-TR1G

Broadcom

Diodi - RF

RF DIODE SCHOTTKY 4V SOD323

• Produttore: Broadcom Limited
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - Single
• Tensione - Picco inverso (Max): 4V
• Corrente - Max: -
• Capacità @ Vr, F: 0.3pF @ 0V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: -
• Dissipazione di potenza (max): -
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: SC-79, SOD-523
• Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-323

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HSMS-8101-BLKG

Broadcom

Diodi - RF

RF DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT23

• Produttore: Broadcom Limited
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - Single
• Tensione - Picco inverso (Max): 4V
• Corrente - Max: -
• Capacità @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz
• Dissipazione di potenza (max): 75mW
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3

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HSMS-8101-TR1

Broadcom

Diodi - RF

RF DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT23

• Produttore: Broadcom Limited
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - Single
• Tensione - Picco inverso (Max): 4V
• Corrente - Max: -
• Capacità @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz
• Dissipazione di potenza (max): 75mW
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3

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HSMS-8101-TR1G

Broadcom

Diodi - RF

RF DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT23

• Produttore: Broadcom Limited
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - Single
• Tensione - Picco inverso (Max): 4V
• Corrente - Max: -
• Capacità @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz
• Dissipazione di potenza (max): 75mW
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3

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HSMS-8101-TR2G

Broadcom

Diodi - RF

RF DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT23

• Produttore: Broadcom Limited
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - Single
• Tensione - Picco inverso (Max): 4V
• Corrente - Max: -
• Capacità @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz
• Dissipazione di potenza (max): 75mW
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3

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HSMS-8202-BLKG

Broadcom

Diodi - RF

RF DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT23

• Produttore: Broadcom Limited
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - 1 Pair Series Connection
• Tensione - Picco inverso (Max): 4V
• Corrente - Max: -
• Capacità @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz
• Dissipazione di potenza (max): 75mW
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3

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HSMS-8202-TR1

Broadcom

Diodi - RF

RF DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT23

• Produttore: Broadcom Limited
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - 1 Pair Series Connection
• Tensione - Picco inverso (Max): 4V
• Corrente - Max: -
• Capacità @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz
• Dissipazione di potenza (max): 75mW
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3

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HSMS-8202-TR1G

Broadcom

Diodi - RF

RF DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT23

• Produttore: Broadcom Limited
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - 1 Pair Series Connection
• Tensione - Picco inverso (Max): 4V
• Corrente - Max: -
• Capacità @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz
• Dissipazione di potenza (max): 75mW
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3

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HSMS-8202-TR2G

Broadcom

Diodi - RF

RF DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT23

• Produttore: Broadcom Limited
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - 1 Pair Series Connection
• Tensione - Picco inverso (Max): 4V
• Corrente - Max: -
• Capacità @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz
• Dissipazione di potenza (max): 75mW
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3

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HSMS-8207-BLKG

Broadcom

Diodi - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT143-4

• Produttore: Broadcom Limited
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - 2 Pair Series Connection
• Tensione - Picco inverso (Max): 4V
• Corrente - Max: -
• Capacità @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz
• Dissipazione di potenza (max): 75mW
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: TO-253-4, TO-253AA
• Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-143-4

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HSMS-8207-TR1G

Broadcom

Diodi - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT143-4

• Produttore: Broadcom Limited
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - 2 Pair Series Connection
• Tensione - Picco inverso (Max): 4V
• Corrente - Max: -
• Capacità @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz
• Dissipazione di potenza (max): 75mW
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: TO-253-4, TO-253AA
• Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-143-4

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HSMS-8207-TR2G

Broadcom

Diodi - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT143-4

• Produttore: Broadcom Limited
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - 2 Pair Series Connection
• Tensione - Picco inverso (Max): 4V
• Corrente - Max: -
• Capacità @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz
• Dissipazione di potenza (max): 75mW
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: TO-253-4, TO-253AA
• Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-143-4

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HSMS-8209-BLKG

Broadcom

Diodi - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT143-4

• Produttore: Broadcom Limited
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - Cross Over
• Tensione - Picco inverso (Max): 4V
• Corrente - Max: -
• Capacità @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz
• Dissipazione di potenza (max): 75mW
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: TO-253-4, TO-253AA
• Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-143-4

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HSMS-8209-TR1

Broadcom

Diodi - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT143-4

• Produttore: Broadcom Limited
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - Cross Over
• Tensione - Picco inverso (Max): 4V
• Corrente - Max: -
• Capacità @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz
• Dissipazione di potenza (max): 75mW
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: TO-253-4, TO-253AA
• Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-143-4

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HSMS-8209-TR1G

Broadcom

Diodi - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT143-4

• Produttore: Broadcom Limited
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - Cross Over
• Tensione - Picco inverso (Max): 4V
• Corrente - Max: -
• Capacità @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz
• Dissipazione di potenza (max): 75mW
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: TO-253-4, TO-253AA
• Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-143-4

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HSMS-8209-TR2G

Broadcom

Diodi - RF

DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT143-4

• Produttore: Broadcom Limited
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - Cross Over
• Tensione - Picco inverso (Max): 4V
• Corrente - Max: -
• Capacità @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz
• Dissipazione di potenza (max): 75mW
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: TO-253-4, TO-253AA
• Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-143-4

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HUM2015B

Microsemi

Diodi - RF

AXIAL DIODE 1500V 13W

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: *
• Tipo di diodo: -
• Tensione - Picco inverso (Max): -
• Corrente - Max: -
• Capacità @ Vr, F: -
• Resistenza @ If, F: -
• Dissipazione di potenza (max): -
• Temperatura di esercizio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -

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JDH2S01FSTPL3

Toshiba Semiconductor and Storage

Diodi - RF

RF DIODE SCHOTTKY 4V FSC

• Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - Single
• Tensione - Picco inverso (Max): 4V
• Corrente - Max: 25mA
• Capacità @ Vr, F: 0.6pF @ 0.2V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: -
• Dissipazione di potenza (max): -
• Temperatura di esercizio: 125°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: 2-SMD, Flat Lead
• Pacchetto dispositivo fornitore: fSC

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JDH2S02FSTPL3

Toshiba Semiconductor and Storage

Diodi - RF

RF DIODE SCHOTTKY 10V FSC

• Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky - Single
• Tensione - Picco inverso (Max): 10V
• Corrente - Max: 10mA
• Capacità @ Vr, F: 0.3pF @ 0.2V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: -
• Dissipazione di potenza (max): -
• Temperatura di esercizio: 125°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: 2-SMD, Flat Lead
• Pacchetto dispositivo fornitore: fSC

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JDH3D01STE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Diodi - RF

RF DIODE SCHOTTKY 4V SSM

• Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky
• Tensione - Picco inverso (Max): 4V
• Corrente - Max: 25mA
• Capacità @ Vr, F: 0.6pF @ 0.2V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: -
• Dissipazione di potenza (max): -
• Temperatura di esercizio: 125°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416
• Pacchetto dispositivo fornitore: SSM

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JDP2S02ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

Diodi - RF

RF DIODE PIN 30V CST2

• Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
• Serie: -
• Tipo di diodo: PIN - Single
• Tensione - Picco inverso (Max): 30V
• Corrente - Max: 50mA
• Capacità @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
• Dissipazione di potenza (max): -
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: SOD-882
• Pacchetto dispositivo fornitore: CST2

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JDP2S02AFS(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

Diodi - RF

RF DIODE PIN 30V FSC

• Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
• Serie: -
• Tipo di diodo: PIN - Single
• Tensione - Picco inverso (Max): 30V
• Corrente - Max: 50mA
• Capacità @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
• Dissipazione di potenza (max): -
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: 2-SMD, Flat Lead
• Pacchetto dispositivo fornitore: fSC

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JDP2S08SC(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

Diodi - RF

RF DIODE PIN 30V SC2

• Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
• Serie: -
• Tipo di diodo: PIN - Single
• Tensione - Picco inverso (Max): 30V
• Corrente - Max: 50mA
• Capacità @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
• Dissipazione di potenza (max): -
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: 2-SMD, No Lead
• Pacchetto dispositivo fornitore: SC2

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JDP2S12CR(TE85L,Q

Toshiba Semiconductor and Storage

Diodi - RF

RF DIODE PIN 180V S-FLAT

• Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
• Serie: -
• Tipo di diodo: PIN - Single
• Tensione - Picco inverso (Max): 180V
• Corrente - Max: 1A
• Capacità @ Vr, F: 1.3pF @ 40V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: 700mOhm @ 10mA, 100MHz
• Dissipazione di potenza (max): -
• Temperatura di esercizio: 175°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: SOD-123F
• Pacchetto dispositivo fornitore: S-FLAT (1.6x3.5)

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JDP4P02AT(TE85L)

Toshiba Semiconductor and Storage

Diodi - RF

RF DIODE PIN 30V CST4

• Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
• Serie: -
• Tipo di diodo: PIN - 2 Independent
• Tensione - Picco inverso (Max): 30V
• Corrente - Max: 50mA
• Capacità @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
• Dissipazione di potenza (max): -
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: 4-SMD, Flat Leads
• Pacchetto dispositivo fornitore: CST4 (1.2x0.8)

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JDV2S07FSTPL3

Toshiba Semiconductor and Storage

Diodi - RF

RF DIODE STANDARD 10V FSC

• Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard - Single
• Tensione - Picco inverso (Max): 10V
• Corrente - Max: -
• Capacità @ Vr, F: 4.9pF @ 1V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: -
• Dissipazione di potenza (max): -
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: 2-SMD, Flat Lead
• Pacchetto dispositivo fornitore: fSC

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JDV2S09FSTPL3

Toshiba Semiconductor and Storage

Diodi - RF

RF DIODE STANDARD 10V FSC

• Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard - Single
• Tensione - Picco inverso (Max): 10V
• Corrente - Max: -
• Capacità @ Vr, F: 11.1pF @ 1V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: -
• Dissipazione di potenza (max): -
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: 2-SMD, Flat Lead
• Pacchetto dispositivo fornitore: fSC

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JDV2S10FS(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

Diodi - RF

RF DIODE STANDARD 10V FSC

• Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard - Single
• Tensione - Picco inverso (Max): 10V
• Corrente - Max: -
• Capacità @ Vr, F: 3.4pF @ 2.5V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: -
• Dissipazione di potenza (max): -
• Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: 2-SMD, Flat Lead
• Pacchetto dispositivo fornitore: fSC

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JDV2S41FS(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

Diodi - RF

RF DIODE STANDARD 15V FSC

• Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard - Single
• Tensione - Picco inverso (Max): 15V
• Corrente - Max: -
• Capacità @ Vr, F: 16pF @ 2V, 1MHz
• Resistenza @ If, F: -
• Dissipazione di potenza (max): -
• Temperatura di esercizio: 125°C (TJ)
• Pacchetto / Custodia: 2-SMD, Flat Lead
• Pacchetto dispositivo fornitore: fSC

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