ZXMN3G32DN8TA
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| Numero parte | ZXMN3G32DN8TA |
| PNEDA Part # | ZXMN3G32DN8TA |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 28.422 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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ZXMN3G32DN8TA Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | ZXMN3G32DN8TA |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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ZXMN3G32DN8TA Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 472pF @ 15V |
| Potenza - Max | 1.8W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A, 4.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.7nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 590pF @ 15V Potenza - Max 1.5W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 1.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.2nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 441pF @ 10V Potenza - Max 700mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore SuperSOT™-6 |
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Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 455pF @ 6V Potenza - Max 700mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore SuperSOT™-6 |
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