ZXMN2A14FTA
Solo per riferimento
| Numero parte | ZXMN2A14FTA |
| PNEDA Part # | ZXMN2A14FTA |
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3 |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 43.902 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 26 - mag 1 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
ZXMN2A14FTA Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | ZXMN2A14FTA |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- ZXMN2A14FTA Datasheet
- where to find ZXMN2A14FTA
- Diodes Incorporated
- Diodes Incorporated ZXMN2A14FTA
- ZXMN2A14FTA PDF Datasheet
- ZXMN2A14FTA Stock
- ZXMN2A14FTA Pinout
- Datasheet ZXMN2A14FTA
- ZXMN2A14FTA Supplier
- Diodes Incorporated Distributor
- ZXMN2A14FTA Price
- ZXMN2A14FTA Distributor
ZXMN2A14FTA Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.4A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.6nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 544pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Sanken Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 45A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 53mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 95W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-263-3 Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Produttore Infineon Technologies Serie CoolMOS™ P7 Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 950V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 7.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 360µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1053pF @ 400V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 104W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Produttore STMicroelectronics Serie STripFET™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 200mA (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 5V Vgs (massimo) ±18V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 43pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 350mW (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.38Ohm @ 1.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 586pF @ 50V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore ITO-220S Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 200mA (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 400mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
