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ZXMHC6A07N8TC

ZXMHC6A07N8TC

Solo per riferimento

Numero parte ZXMHC6A07N8TC
PNEDA Part # ZXMHC6A07N8TC
Descrizione MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 95.628
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 2 - apr 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ZXMHC6A07N8TC Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteZXMHC6A07N8TC
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
ZXMHC6A07N8TC, ZXMHC6A07N8TC Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 732,45 KB)
PDFZXMHC6A07N8TC Datasheet Copertura
ZXMHC6A07N8TC Datasheet Pagina 2 ZXMHC6A07N8TC Datasheet Pagina 3 ZXMHC6A07N8TC Datasheet Pagina 4 ZXMHC6A07N8TC Datasheet Pagina 5 ZXMHC6A07N8TC Datasheet Pagina 6 ZXMHC6A07N8TC Datasheet Pagina 7 ZXMHC6A07N8TC Datasheet Pagina 8 ZXMHC6A07N8TC Datasheet Pagina 9 ZXMHC6A07N8TC Datasheet Pagina 10 ZXMHC6A07N8TC Datasheet Pagina 11

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ZXMHC6A07N8TC Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FET2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.39A, 1.28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs250mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.2nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds166pF @ 40V
Potenza - Max870mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

72A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 36A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

518nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14000pF @ 25V

Potenza - Max

416W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP4

Pacchetto dispositivo fornitore

SP4

SI5902DC-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

1206-8 ChipFET™

SQJ262EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Tc), 40A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V, 23nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 25V, 1260pF @ 25V

Potenza - Max

27W (Tc), 48W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SO-8 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

DMC3028LSDX-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.5A, 5.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.2nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

641pF @ 15V

Potenza - Max

1.2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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Produttore

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V, 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.4A (Ta), 3.3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 3.4A, 10V, 75mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA, 1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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Potenza - Max

1.25W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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