ZXMHC10A07T8TA
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| Numero parte | ZXMHC10A07T8TA |
| PNEDA Part # | ZXMHC10A07T8TA |
| Descrizione | MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8 |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 92.514 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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ZXMHC10A07T8TA Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | ZXMHC10A07T8TA |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
ZXMHC10A07T8TA, ZXMHC10A07T8TA Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 718,08 KB)
  
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ZXMHC10A07T8TA Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1A, 800mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 1.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.9nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 138pF @ 60V |
| Potenza - Max | 1.3W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-223-8 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SM8 |
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