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ZXM61N03FTA

ZXM61N03FTA

Solo per riferimento

Numero parte ZXM61N03FTA
PNEDA Part # ZXM61N03FTA
Descrizione MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 794.328
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 3 - mag 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ZXM61N03FTA Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteZXM61N03FTA
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
ZXM61N03FTA, ZXM61N03FTA Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 188,9 KB)
PDFZXM61N03FTC Datasheet Copertura
ZXM61N03FTC Datasheet Pagina 2 ZXM61N03FTC Datasheet Pagina 3 ZXM61N03FTC Datasheet Pagina 4 ZXM61N03FTC Datasheet Pagina 5 ZXM61N03FTC Datasheet Pagina 6 ZXM61N03FTC Datasheet Pagina 7

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ZXM61N03FTA Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.4A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs220mOhm @ 910mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.1nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds150pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)625mW (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

400mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

800mOhm @ 200mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.18nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

70pF @ 5V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

225mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

STF7N105K5

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

SuperMESH5™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1050V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

380pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

25W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220FP

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

SUD25N15-52-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

25A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

52mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1725pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3W (Ta), 136W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

22A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

99mOhm @ 9.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 490µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1819pF @ 400V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

110W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

TO-220-3

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Produttore

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Tipo FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

525V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.6Ohm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

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±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

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