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ZVN4424GTC

ZVN4424GTC

Solo per riferimento

Numero parte ZVN4424GTC
PNEDA Part # ZVN4424GTC
Descrizione MOSFET N-CH 240V 0.5A SOT223
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.704
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 30 - mag 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ZVN4424GTC Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteZVN4424GTC
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
ZVN4424GTC, ZVN4424GTC Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 745,08 KB)
PDFZVN4424GTC Datasheet Copertura
ZVN4424GTC Datasheet Pagina 2 ZVN4424GTC Datasheet Pagina 3 ZVN4424GTC Datasheet Pagina 4 ZVN4424GTC Datasheet Pagina 5 ZVN4424GTC Datasheet Pagina 6

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ZVN4424GTC Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)240V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C500mA (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)±40V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds200pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-223
Pacchetto / CustodiaTO-261-4, TO-261AA

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

53A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33.2nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2603pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

95W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

LFPAK56, Power-SO8

Pacchetto / Custodia

SC-100, SOT-669

STFU10NK60Z

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

SuperMESH™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

750mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1370pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

35W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220FP

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

SIHH28N60E-T1-GE3

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

E

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

29A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

98mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

129nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2614pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

202W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® 8 x 8

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

NVMTS0D4N04CTXG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

79.8A (Ta), 558A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.45mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

251nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

16500pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFNW (8.3x8.4)

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

82A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

49mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

6.5V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

255nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

13800pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

960W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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