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ZVN4306A

ZVN4306A

Solo per riferimento

Numero parte ZVN4306A
PNEDA Part # ZVN4306A
Descrizione MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 30.792
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ZVN4306A Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteZVN4306A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
ZVN4306A, ZVN4306A Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 361,41 KB)
PDFZVN4306ASTZ Datasheet Copertura
ZVN4306ASTZ Datasheet Pagina 2 ZVN4306ASTZ Datasheet Pagina 3 ZVN4306ASTZ Datasheet Pagina 4 ZVN4306ASTZ Datasheet Pagina 5 ZVN4306ASTZ Datasheet Pagina 6

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ZVN4306A Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.1A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs330mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds350pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)850mW (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92-3
Pacchetto / CustodiaTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

380mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

58nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

937pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

147W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IXTA3N110

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Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1350pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

150W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263 (IXTA)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

CPH6341-TL-EX

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

59mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

430pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.6W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

6-CPH

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

62A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.8V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2417pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

87W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

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