Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

ZVN3310ASTOA

ZVN3310ASTOA

Solo per riferimento

Numero parte ZVN3310ASTOA
PNEDA Part # ZVN3310ASTOA
Descrizione MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.390
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 18 - apr 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ZVN3310ASTOA Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteZVN3310ASTOA
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
ZVN3310ASTOA, ZVN3310ASTOA Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 83,99 KB)
PDFZVN3310ASTOA Datasheet Copertura
ZVN3310ASTOA Datasheet Pagina 2 ZVN3310ASTOA Datasheet Pagina 3

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • ZVN3310ASTOA Datasheet
  • where to find ZVN3310ASTOA
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated ZVN3310ASTOA
  • ZVN3310ASTOA PDF Datasheet
  • ZVN3310ASTOA Stock

  • ZVN3310ASTOA Pinout
  • Datasheet ZVN3310ASTOA
  • ZVN3310ASTOA Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • ZVN3310ASTOA Price
  • ZVN3310ASTOA Distributor

ZVN3310ASTOA Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C200mA (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs10Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds40pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)625mW (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreE-Line (TO-92 compatible)
Pacchetto / CustodiaE-Line-3

I prodotti a cui potresti essere interessato

IRLR3714ZTRL

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

37A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.55V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.1nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

560pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

35W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SIR642DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

84nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4155pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

4.8W (Ta), 41.7W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SO-8

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SO-8

PSMN5R3-25MLDX

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

70A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.9mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.7nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

858pF @ 12V

Funzione FET

Schottky Diode (Body)

Dissipazione di potenza (max)

51W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

LFPAK33

Pacchetto / Custodia

SOT-1210, 8-LFPAK33

DMN24H11DSQ-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

240V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

270mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11Ohm @ 300mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.7nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

76.8pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

750mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

IXFH10N100

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1000V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

155nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4000pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD (IXFH)

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Venduto di recente

PIC18F65J15-I/PT

PIC18F65J15-I/PT

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 48KB FLASH 64TQFP

744230900

744230900

Wurth Electronics

CMC 550MA 2LN 90 OHM SMD

CP2102-GM

CP2102-GM

Silicon Labs

IC USB-TO-UART BRIDGE 28VQFN

BMI160

BMI160

Bosch Sensortec

IMU ACCEL/GYRO I2C/SPI 14LGA

STPS40170CGY-TR

STPS40170CGY-TR

STMicroelectronics

DIODE ARRAY SCHOTTKY 170V D2PAK

ATMEGA32U2-AU

ATMEGA32U2-AU

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 32KB FLASH 32TQFP

CJS-1201TB1

CJS-1201TB1

Nidec Copal Electronics

SWITCH SLIDE SPDT 100MA 6V

HCM0703-4R7-R

HCM0703-4R7-R

Eaton - Electronics Division

FIXED IND 4.7UH 5.5A 40 MOHM SMD

NRVBS3200T3G

NRVBS3200T3G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 200V 3A SMB

S34ML02G104TFI010

S34ML02G104TFI010

SkyHigh Memory Limited

IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

STM6601CM2DDM6F

STM6601CM2DDM6F

STMicroelectronics

IC SUPERVISOR 3.1V 12TDFN

B39162B4300F210

B39162B4300F210

Qualcomm

FILTER SAW 1.575GHZ 5SMD