W987D2HBJX6E TR
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| Numero parte | W987D2HBJX6E TR |
| PNEDA Part # | W987D2HBJX6E-TR |
| Descrizione | IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA |
| Produttore | Winbond Electronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.930 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 5 - nov 10 (Scegli Spedizione rapida) |
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W987D2HBJX6E TR Risorse
| Brand | Winbond Electronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | W987D2HBJX6E TR |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
W987D2HBJX6E TR, W987D2HBJX6E TR Datasheet
(Totale pagine: 68, Dimensioni: 1.470,3 KB)
  
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W987D2HBJX6E TR Specifiche
| Produttore | Winbond Electronics |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - Mobile LPSDR |
| Dimensione della memoria | 128Mb (4M x 32) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 166MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 15ns |
| Tempo di accesso | 5.4ns |
| Tensione - Alimentazione | 1.7V ~ 1.95V |
| Temperatura di esercizio | -25°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 90-TFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 90-VFBGA (8x13) |
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