Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

W978H6KBVX2E

W978H6KBVX2E

Solo per riferimento

Numero parte W978H6KBVX2E
PNEDA Part # W978H6KBVX2E
Descrizione IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 18.804
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 5 - apr 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W978H6KBVX2E Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW978H6KBVX2E
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W978H6KBVX2E, W978H6KBVX2E Datasheet (Totale pagine: 122, Dimensioni: 4.121,3 KB)
PDFW978H6KBQX2I Datasheet Copertura
W978H6KBQX2I Datasheet Pagina 2 W978H6KBQX2I Datasheet Pagina 3 W978H6KBQX2I Datasheet Pagina 4 W978H6KBQX2I Datasheet Pagina 5 W978H6KBQX2I Datasheet Pagina 6 W978H6KBQX2I Datasheet Pagina 7 W978H6KBQX2I Datasheet Pagina 8 W978H6KBQX2I Datasheet Pagina 9 W978H6KBQX2I Datasheet Pagina 10 W978H6KBQX2I Datasheet Pagina 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • W978H6KBVX2E Datasheet
  • where to find W978H6KBVX2E
  • Winbond Electronics

  • Winbond Electronics W978H6KBVX2E
  • W978H6KBVX2E PDF Datasheet
  • W978H6KBVX2E Stock

  • W978H6KBVX2E Pinout
  • Datasheet W978H6KBVX2E
  • W978H6KBVX2E Supplier

  • Winbond Electronics Distributor
  • W978H6KBVX2E Price
  • W978H6KBVX2E Distributor

W978H6KBVX2E Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.14V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-25°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia134-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore134-VFBGA (10x11.5)

I prodotti a cui potresti essere interessato

DS1225AD-200

Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

200ns

Tempo di accesso

200ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

28-DIP Module (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-EDIP

MT29C1G12MAACVAMD-5 E IT

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH, RAM

Tecnologia

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

Dimensione della memoria

1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (32M x 16)(LPDRAM)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

130-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

130-VFBGA (8x9)

CY7C1513JV18-250BZXC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II

Dimensione della memoria

72Mb (4M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (15x17)

7164L70DB

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

28-CDIP (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-DIP

IS66WVE4M16TBLL-70BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

PSRAM

Tecnologia

PSRAM (Pseudo SRAM)

Dimensione della memoria

64Mb (4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TFBGA (6x8)

Venduto di recente

HCPL-0601

HCPL-0601

Broadcom

OPTOISO 3.75KV OPN COLLECTOR 8SO

XC9572XL-10VQ44I

XC9572XL-10VQ44I

Xilinx

IC CPLD 72MC 10NS 44VQFP

ADR291GRZ

ADR291GRZ

Analog Devices

IC VREF SERIES 2.5V 8SOIC

74HCT32D

74HCT32D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC GATE OR 4CH 2-INP 14SOIC

W25Q16JVZPIQ TR

W25Q16JVZPIQ TR

Winbond Electronics

IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8WSON

EP5358HUI

EP5358HUI

Intel

DC DC CONVERTER 1.8-3.3V 2W

MF-R090

MF-R090

Bourns

PTC RESET FUSE 60V 900MA RADIAL

MAX31730AUB+T

MAX31730AUB+T

Maxim Integrated

IC REMOTE TEMP SENSOR USSOP

IRGP4750D-EPBF

IRGP4750D-EPBF

Infineon Technologies

IGBT 650V 70A 273W TO247AD

CY14B256LA-SZ25XIT

CY14B256LA-SZ25XIT

Cypress Semiconductor

IC NVSRAM 256K PARALLEL 32SOIC

IRF7853PBF

IRF7853PBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC

MAX3295AUT+T

MAX3295AUT+T

Maxim Integrated

IC DRIVER 1/0 SOT23-6