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W972GG8JB-3 TR

W972GG8JB-3 TR

Solo per riferimento

Numero parte W972GG8JB-3 TR
PNEDA Part # W972GG8JB-3-TR
Descrizione IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.724
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W972GG8JB-3 TR Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW972GG8JB-3 TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W972GG8JB-3 TR, W972GG8JB-3 TR Datasheet (Totale pagine: 87, Dimensioni: 2.606,11 KB)
PDFW972GG8JB-3 TR Datasheet Copertura
W972GG8JB-3 TR Datasheet Pagina 2 W972GG8JB-3 TR Datasheet Pagina 3 W972GG8JB-3 TR Datasheet Pagina 4 W972GG8JB-3 TR Datasheet Pagina 5 W972GG8JB-3 TR Datasheet Pagina 6 W972GG8JB-3 TR Datasheet Pagina 7 W972GG8JB-3 TR Datasheet Pagina 8 W972GG8JB-3 TR Datasheet Pagina 9 W972GG8JB-3 TR Datasheet Pagina 10 W972GG8JB-3 TR Datasheet Pagina 11

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W972GG8JB-3 TR Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR2
Dimensione della memoria2Gb (256M x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso450ps
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore60-WBGA (11x11.5)

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

72Mb (4M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (15x17)

MTFC8GLDEA-4M IT

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

64Gb (8G x 8)

Interfaccia di memoria

MMC

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

2MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

EDFA232A2PB-JD-F-R TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR3

Dimensione della memoria

16Gb (512M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

933MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

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SkyHigh Memory Limited

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Tipo di memoria

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-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

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-

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