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W966D6HBGX7I TR

W966D6HBGX7I TR

Solo per riferimento

Numero parte W966D6HBGX7I TR
PNEDA Part # W966D6HBGX7I-TR
Descrizione IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.700
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W966D6HBGX7I TR Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW966D6HBGX7I TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W966D6HBGX7I TR, W966D6HBGX7I TR Datasheet (Totale pagine: 73, Dimensioni: 1.933,33 KB)
PDFW966D6HBGX7I Datasheet Copertura
W966D6HBGX7I Datasheet Pagina 2 W966D6HBGX7I Datasheet Pagina 3 W966D6HBGX7I Datasheet Pagina 4 W966D6HBGX7I Datasheet Pagina 5 W966D6HBGX7I Datasheet Pagina 6 W966D6HBGX7I Datasheet Pagina 7 W966D6HBGX7I Datasheet Pagina 8 W966D6HBGX7I Datasheet Pagina 9 W966D6HBGX7I Datasheet Pagina 10 W966D6HBGX7I Datasheet Pagina 11

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W966D6HBGX7I TR Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaPSRAM
TecnologiaPSRAM (Pseudo SRAM)
Dimensione della memoria64Mb (4M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia54-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore54-VFBGA (6x8)

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MoBL®

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-SOIC

AT24C08-10PC-2.5

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

8Kb (1K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

MT47H128M8BT-5E:A

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

600ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

92-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

92-FBGA (11x19)

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR

Dimensione della memoria

512Mb (16M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

5.5ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

90-TFBGA (8x13)

CY7C09289V-12AC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Synchronous

Dimensione della memoria

1Mb (64K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

50MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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